QUIXACE®-II（ラージバッチ成膜装置）

KOKUSAI ELECTRIC の 300mm ラージバッチ式サーマルプロセス装置。温度制御・搬送・真空ガス置換・冷却の要素技術でサイクル時間を短縮した。

QUIXACE-IIとは

QUIXACE-II（クイックエースⅡ）は、KOKUSAI ELECTRIC の 300mm ウェーハ対応ラージバッチ式サーマルプロセス装置です。同社のコア技術である温度制御、自動搬送、真空・ガス置換、冷却、成膜の各技術を結集し、サイクル時間を大きく短縮して高いスループットを実現しました。

成膜プロセス装置としては CVD 膜・酸化膜の形成に、トリートメント（膜質改善）装置としては酸化・拡散・低温／高温アニールに使われます。ロット処理能力は同社比で最大 1.25 倍です。

深い溝形状への均一な成膜、低温での高精度・高品質な成膜を特長とし、ヘルスチェック機能もオプションで用意しています。同じラージバッチ系には最大 1.75 倍の AdvancedAce-II、真空ロードロックを備えた EPI 向けの QUIXACE-LV があります。

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsProducer® XP Precision® CVD	東京エレクトロン（TEL）Triase+™ W（枚葉式W-CVD）	Lam ResearchVECTOR®（PECVD）	Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE®-II（ラージバッチ成膜装置）	ULVAC（アルバック）CME-200E（PE-CVD）
方式	CVD（Producer プラットフォーム・Twin Chamber）	枚葉式 CVD（SFD 核付け層＋通常膜、ランプ加熱）	PECVD（クアッドステーションモジュール）	ラージバッチ縦型炉	PE-CVD（27.12 MHz 高密度プラズマ、トレイ搬送）
対象膜	3D NAND 積層膜・Saphira APF などのハードマスク	W（タングステン）	ハードマスク・反射防止膜・パッシベーション・3D NAND 積層膜	—	SiO₂・SiNx・SiON・a-Si・TEOS-SiO₂
主要用途	3D NAND の交互積層・DRAM の高アスペクト比加工用膜	コンタクトプラグ・ビアフィル	層間絶縁膜・ハードマスク・ウェーハ応力管理膜	—	パワーデバイス・LED・LD・MEMS
対応ウェハ径	300 mm	300 mm	—	300 mm	—
シリーズ構成	—	Triase+ EX-II TiN／Ti/TiN／W／SPAi	VECTOR／TEOS／AHM／MD／Strata／DT／TEOS 3D	—	—

1機種だけが掲載している項目（3件）