TELINDY PLUSとは
TELINDY PLUS は、東京エレクトロン(TEL)の 300mm ウェーハ対応バッチ式熱処理装置です。TELINDY シリーズは累計1万台を超える実績を持ち、クリーンルーム面積あたりの生産性の高さを特長としています。
最大ロードは 125 枚、プロセス温度は室温〜1,100°C です。対応アプリケーションは ALD(SiO₂・SiN・High-k)、CVD(Poly-Si・a-Si・SiO₂・SiN)、酸化・ラジカル酸化、アニールと幅広く、ウェーハ搬送機構の改良、FTPS ヒーター、2ボート運用による短 TAT で生産性を高めています。
同じプラットフォームにプラズマ源を載せた TELINDY PLUS IRad は、プラズマダメージのない極低温 ALD(SiN・SiO₂)向けの派生機です。一度に 200 枚を処理でき CO₂ 排出を約25%減らした EVAROS、高速昇降温の TELFORMULA もシリーズに並びます。
主な特長
- •最大 125 枚のバッチ処理、プロセス温度 RT〜1,100°C
- •ALD・CVD・酸化・アニールを1プラットフォームでカバー
- •2ボート運用・FTPS ヒーターによる短 TAT
- •TELINDY シリーズ累計1万台超の実績
主な仕様
| 方式 | バッチ式(縦型炉) |
|---|---|
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 最大ロード | 125 枚 |
| プロセス温度 | RT ~ 1,100 °C |
| シリーズ構成 | TELINDY PLUS/TELINDY PLUS IRad(プラズマALD)/EVAROS |
| 関連機種 | TELFORMULA・ALPHA-8SE i |
| 主要用途 | 酸化・拡散・バッチ成膜 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Kokusai Electric(国際電気)QUIXACE-II | 東京エレクトロン(TEL)TELINDY PLUS | ASMインターナショナルSONORA |
|---|---|---|---|
| 方式 | 縦型大バッチ | バッチ式(縦型炉) | — |
| 生産性 | 従来機比 最大 1.25 倍のロット処理 | — | 前世代機 A412 比 最大 30% 向上(レシピ互換) |
| 関連機種 | AdvancedAce-II・VERTEX Revolution(200 mm) | TELFORMULA・ALPHA-8SE i | — |
| 主要用途 | 酸化膜・CVD膜の形成 | 酸化・拡散・バッチ成膜 | — |
| 対応ウェハ径 | — | 300 mm | 300 mm |
1機種だけが掲載している項目(7件)
| 対応プロセス | 酸化・拡散・アニール(低温/高温) | — | — |
|---|---|---|---|
| 最大ロード | — | 125 枚 | — |
| プロセス温度 | — | RT ~ 1,100 °C | — |
| シリーズ構成 | — | TELINDY PLUS/TELINDY PLUS IRad(プラズマALD)/EVAROS | — |
| バッチ処理枚数 | — | — | 最大 150 枚 |
| 常圧プロセス | — | — | 拡散・不純物活性化・アニール・酸化 |
| 減圧プロセス | — | — | LPCVD(Poly-Si・SiN・SiO)/バッチALD |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •ゲート酸化膜などの熱酸化・ラジカル酸化
- •ポリシリコン・窒化膜のバッチ CVD
- •SiO₂・SiN・High-k のバッチ ALD
掲載カテゴリ
TELINDY PLUSは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
よくある質問
TELINDY PLUS と TELINDY PLUS IRad の違いは?
IRad は TELINDY PLUS のプラットフォームにプラズマ源を搭載した機種で、プラズマダメージのない極低温の ALD-SiN・ALD-SiO₂ 成膜に使います。最大プロセス温度は TELINDY PLUS が 1,100°C、IRad が 800°C です。
メーカー
東京エレクトロン(TEL)
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
拡散炉のほかの製品
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関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-05