ANTARES™（エアロゾル洗浄装置）
導入ガスを低温エアロゾル化してパーティクルだけを除去する東京エレクトロンの 300mm 枚葉ドライ洗浄装置。Cu や Low-k 膜を傷めない。
ANTARESとは
ANTARES は、東京エレクトロンの 300mm ウェーハ対応 枚葉式全自動エアロゾル洗浄装置です。導入したガスを低温でエアロゾル化する独自の技術で、デバイス表面の微細なパーティクルだけを安定して取り除きます。
従来のウェット洗浄とは異なり、薬液も水も使わない完全ドライのプロセスです。そのため、Cu や Low-k 膜を傷めずに欠陥を減らせ、さまざまな金属材料の腐食、ウォーターマークの形成、表面のチャージアップも抑えます。
ドライ環境で、非常に敏感な薄膜に対しても表面反応・表面荒れ・エッチングダメージを起こさずに処理できるため、バックエンドからフロントエンドまで幅広い工程の欠陥対策に使われ、歩留まりの向上に効果を発揮します。
主な特長
- •低温エアロゾルによる完全ドライ洗浄（薬液・水を使わない）
- •Cu・Low-k 膜を傷めないパーティクル除去
- •腐食・ウォーターマーク・表面チャージを抑制
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
|---|---|
| 方式 | 枚葉式・低温エアロゾル（薬液・水を使わない完全ドライ） |
| 主要用途 | 微細パターンのパーティクル除去（FEOL〜BEOL） |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン（TEL）Certas LEAGA™（ガスケミカルエッチング） | 東京エレクトロン（TEL）ANTARES™（エアロゾル洗浄装置） | Lam ResearchSelective Etch（Argos®／Prevos®／Selis®） |
|---|---|---|---|
| 方式 | ガスケミカル（ドライ）エッチング、プラズマレス | 枚葉式・低温エアロゾル（薬液・水を使わない完全ドライ） | 等方性の選択エッチング・表面処理 |
| 主要用途 | シリコンコンタクト前クリーニング・酸化膜除去・選択エッチング | 微細パターンのパーティクル除去（FEOL〜BEOL） | S/D 成膜前プリクリーン・表面除染・SiGe 除去（GAA）・酸化膜リセス |
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 300 mm | — |
1機種だけが掲載している項目（2件）
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー（2枚同時処理） | — | — |
|---|---|---|---|
| シリーズ構成 | — | — | Argos／Prevos／Selis |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •微細パターン表面のパーティクル除去
- •BEOL（Cu／Low-k）から FEOL までの欠陥対策
掲載カテゴリ
ANTARESは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
東京エレクトロン（TEL）
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
ドライ洗浄装置のほかの製品
東京エレクトロン（TEL）のほかの製品
TELINDY PLUS（拡散炉）CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z（コータ／デベロッパ）Tactras™（ドライエッチング装置）EXPEDIUS™-i（バッチ式洗浄装置）（ウェットエッチング装置）Episode™ UL（材料別エッチャー）CELLESTA™-i（枚葉洗浄装置）（シングルウェハ洗浄装置）ZETA™+（バッチスプレー式洗浄装置）（バッチ洗浄装置）Certas LEAGA™（ガスケミカルエッチング）（ドライ洗浄装置）TELINDY PLUS™ IRad™（バッチ式ALD）（ALD装置）NT333™（セミバッチ式ALD）（ALD装置）Triase+™ W（枚葉式W-CVD）（CVD装置）LEXIA™-EX（PVD）（PVD装置）CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE（コータ／デベロッパ）Precio™ XL（ウェーハプローバ）（ウェハプローバー）Synapse™ Si（ウェーハボンダー）（CMOSイメージセンサー製造装置）
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-06