Certas LEAGA™(ガスケミカルエッチング)
洗浄液を使わずに表面エッチングとクリーニングを行う東京エレクトロンの 300mm 対応ガスケミカルエッチング装置。プラズマを使わず、ウォーターマークが出ない。
Certas LEAGAとは
Certas LEAGA は、東京エレクトロンの 300mm 対応ガスケミカルエッチング装置です。洗浄液を使わずに表面のエッチングとクリーニングを行う、環境負荷の小さい高スループット装置で、等方性エッチングの要として位置づけられています。
完全にドライ化したプロセスユニットにより、ウォーターマークが発生せず、各種酸化膜のエッチングで独特の選択比を示し、微細な界面のクリーン制御が可能です。プラズマを使わない処理なので稼働率が高く、低コストで処理できます。TEL の洗浄装置と組み合わせることで、より高い柔軟性を得られます。
ウェーハ2枚の同時処理と最大 6 基のプロセスチャンバー搭載に対応し、プロセスユニットを自由に組み替えられます。シリコンコンタクト前の表面クリーニング、シリコン酸化膜の除去とエッチバック、高アスペクト比 3D 構造の選択エッチング、高精細なリセスなど、量産から次世代開発まで使われます。
主な特長
- •洗浄液を使わない完全ドライのガスケミカルエッチング
- •プラズマレスで高稼働率・低コスト
- •ウェーハ2枚同時処理、最大 6 チャンバー
- •各種酸化膜に対する独特の選択比、ウォーターマークレス
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
|---|---|
| 方式 | ガスケミカル(ドライ)エッチング、プラズマレス |
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー(2枚同時処理) |
| 主要用途 | シリコンコンタクト前クリーニング・酸化膜除去・選択エッチング |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン(TEL)Certas LEAGA™(ガスケミカルエッチング) | 東京エレクトロン(TEL)ANTARES™(エアロゾル洗浄装置) | Lam ResearchSelective Etch(Argos®/Prevos®/Selis®) |
|---|---|---|---|
| 方式 | ガスケミカル(ドライ)エッチング、プラズマレス | 枚葉式・低温エアロゾル(薬液・水を使わない完全ドライ) | 等方性の選択エッチング・表面処理 |
| 主要用途 | シリコンコンタクト前クリーニング・酸化膜除去・選択エッチング | 微細パターンのパーティクル除去(FEOL〜BEOL) | S/D 成膜前プリクリーン・表面除染・SiGe 除去(GAA)・酸化膜リセス |
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 300 mm | — |
1機種だけが掲載している項目(2件)
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー(2枚同時処理) | — | — |
|---|---|---|---|
| シリーズ構成 | — | — | Argos/Prevos/Selis |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •シリコンコンタクト前の表面クリーニング
- •シリコン酸化膜の除去・エッチバック
- •3D 構造の選択エッチング・リセス
掲載カテゴリ
Certas LEAGAは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
東京エレクトロン(TEL)
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
ドライ洗浄装置のほかの製品
東京エレクトロン(TEL)のほかの製品
TELINDY PLUS(拡散炉)CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z(コータ/デベロッパ)Tactras™(ドライエッチング装置)EXPEDIUS™-i(バッチ式洗浄装置)(ウェットエッチング装置)Episode™ UL(材料別エッチャー)CELLESTA™-i(枚葉洗浄装置)(シングルウェハ洗浄装置)ZETA™+(バッチスプレー式洗浄装置)(バッチ洗浄装置)ANTARES™(エアロゾル洗浄装置)(ドライ洗浄装置)TELINDY PLUS™ IRad™(バッチ式ALD)(ALD装置)NT333™(セミバッチ式ALD)(ALD装置)Triase+™ W(枚葉式W-CVD)(CVD装置)LEXIA™-EX(PVD)(PVD装置)CLEAN TRACK LITHIUS Pro DICE(コータ/デベロッパ)Precio™ XL(ウェーハプローバ)(ウェハプローバー)Synapse™ Si(ウェーハボンダー)(CMOSイメージセンサー製造装置)
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06