Producer™ Viva™ Radical Treatment
イオンを含まない純粋なラジカルで、GAA のナノシート表面を Å レベルで滑らかに整える表面処理装置。
Producer Viva Radical Treatmentとは
Producer Viva は、Applied Materials のラジカル処理装置です。AI や HPC 向けの GAA(ゲートオールアラウンド)トランジスタでは、シリコンのチャネル(ナノシート)の表面状態が性能を左右し、数 Å の粗さや不純物でも界面のトラップが増えて、キャリアの移動度とトランジスタの速度が落ちます。
中核は、イオンを含まない純粋なラジカルを作る特許の供給構造です。ラジカルは方向性がないため、奥に埋もれて直接見通せない構造の中でも均一でコンフォーマルな表面処理ができ、イオンプラズマによる構造の損傷もありません。
ラジカルがシリコン原子の表面移動に必要なエネルギーを下げることで、ナノシートの表面を Å レベルで滑らかに整えます。
主な特長
- •イオンフリーの純ラジカル
- •見通せない構造でも均一処理
- •プラズマ損傷なし
主な仕様
| 方式 | イオンフリーのラジカル処理(特許) |
|---|---|
| 対象 | GAA ナノシートのシリコン表面 |
| 効果 | 表面粗さ・不純物の低減でキャリア移動度を改善 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 東京エレクトロン(TEL)Certas LEAGA™(ガスケミカルエッチング) | 東京エレクトロン(TEL)ANTARES™(エアロゾル洗浄装置) | Lam ResearchSelective Etch(Argos®/Prevos®/Selis®) | Applied MaterialsProducer™ Viva™ Radical Treatment | ASMインターナショナルPrevium®(エピ前プリクリーン) | ULVAC(アルバック)RISE-300(自然酸化膜除去装置) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | ガスケミカル(ドライ)エッチング、プラズマレス | 枚葉式・低温エアロゾル(薬液・水を使わない完全ドライ) | 等方性の選択エッチング・表面処理 | イオンフリーのラジカル処理(特許) | エピ前のプリクリーン(Intrepid と統合) | リモートプラズマ(マイクロ波)・低温のバッチ式ドライエッチング |
| 主要用途 | シリコンコンタクト前クリーニング・酸化膜除去・選択エッチング | 微細パターンのパーティクル除去(FEOL〜BEOL) | S/D 成膜前プリクリーン・表面除染・SiGe 除去(GAA)・酸化膜リセス | — | — | — |
| 対応ウェハ径 | 300 mm | 300 mm | — | — | — | — |
1機種だけが掲載している項目(8件)
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー(2枚同時処理) | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|
| シリーズ構成 | — | — | Argos/Prevos/Selis | — | — | — |
| 対象 | — | — | — | GAA ナノシートのシリコン表面 | — | — |
| 効果 | — | — | — | 表面粗さ・不純物の低減でキャリア移動度を改善 | — | — |
| ラインアップ | — | — | — | — | Previum V3・NEXT・VP(気相・非プラズマ) | — |
| 性能 | — | — | — | — | 自然酸化膜を 99.9% 除去(V3) | — |
| 均一性 | — | — | — | — | — | ±5% 未満(バッチ) |
| 処理 | — | — | — | — | — | 300mm を 50 枚一括 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •GAA ナノシートの表面処理
掲載カテゴリ
Producer Viva Radical Treatmentは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Applied Materials
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07