Selective Etch（Argos®／Prevos®／Selis®）

周囲の材料を傷めずに等方的に材料を除去する Lam Research の選択エッチング製品群。表面処理やソース／ドレイン成膜前のプリクリーンにも使われる。

Selective Etchとは

Lam Research の Selective Etch 製品群は、周囲の材料を変質させたり傷めたりすることなく、ウェーハ表面から材料を等方的に除去する選択エッチングのソリューションです。Argos、Prevos、Selis の3製品で構成されます。

FinFET が微細化の限界に近づき、先端ロジックは GAA（ナノシート）構造へ、メモリでは NAND に続いて DRAM も3次元化へ向かっています。こうした構造では、材料を選択的かつ等方的（全方向に均一）に除去する、縦方向・横方向の「彫刻」のような加工が必要になります。

超高選択比とオングストローム単位の精度で、高アスペクト比でも等方的な除去を行い、重要な材料の損失や表面の変質を防ぎます。界面の物理的・電気的特性を制御する表面処理も備え、デバイスの速度と性能の向上に寄与します。

方式	等方性の選択エッチング・表面処理
シリーズ構成	Argos／Prevos／Selis
主要用途	S/D 成膜前プリクリーン・表面除染・SiGe 除去（GAA）・酸化膜リセス

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	東京エレクトロン（TEL）Certas LEAGA™（ガスケミカルエッチング）	東京エレクトロン（TEL）ANTARES™（エアロゾル洗浄装置）	Lam ResearchSelective Etch（Argos®／Prevos®／Selis®）
方式	ガスケミカル（ドライ）エッチング、プラズマレス	枚葉式・低温エアロゾル（薬液・水を使わない完全ドライ）	等方性の選択エッチング・表面処理
主要用途	シリコンコンタクト前クリーニング・酸化膜除去・選択エッチング	微細パターンのパーティクル除去（FEOL〜BEOL）	S/D 成膜前プリクリーン・表面除染・SiGe 除去（GAA）・酸化膜リセス
対応ウェハ径	300 mm	300 mm	—