Kokusai Electric(国際電気)/LPCVD(低圧CVD)

AdvancedAce®-II

KOKUSAI ELECTRIC のラージバッチ縦型熱処理装置。温度制御・搬送・真空/ガス置換などの要素技術を集約し、サイクルタイムを短縮した。

AdvancedAce-IIとは

AdvancedAce-II(アドバンスドエースⅡ)は、KOKUSAI ELECTRIC の 300mm ウェーハ対応 ラージバッチ式サーマルプロセス装置です。温度制御、自動搬送、真空・ガス置換、冷却、成膜という同社のコア技術を結集し、サイクル時間を飛躍的に短縮して高いスループットを実現しました。

成膜プロセス装置としては LP-CVD による CVD 膜・酸化膜の形成に、トリートメント装置としては酸化・拡散・低温/高温アニールに使われます。ロット処理能力は同社比で最大 1.75 倍と、ラージバッチ系の中で最も高い生産性を持ちます。

深い溝形状への均一な膜形成、低温での高精度・高品質な成膜を特長としています。オプションでヘルスチェック機能も用意しています。

主な特長

  • •最大 1.75 倍のロット処理(同社比)
  • •深溝形状への均一な膜形成
  • •低温で高精度・高品質な成膜
  • •ヘルスチェック機能(オプション)

主な仕様

方式ラージバッチ縦型炉
対応ウェハ径300 mm
処理CVD・酸化・拡散・アニール
主要用途量産ラインの熱 CVD・熱処理

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目Kokusai Electric(国際電気)AdvancedAce®-IIASMインターナショナルSONORA®光洋サーモシステムVF-5700
方式ラージバッチ縦型炉バッチ縦型炉(デュアルボート)バッチ縦型炉(50 枚)
対応ウェハ径300 mm300 mm300 mm
処理CVD・酸化・拡散・アニールLPCVD(ポリ Si・SiN・SiO)・バッチ ALD・酸化・拡散・アニール酸化・拡散・LP-CVD・アニール
主要用途量産ラインの熱 CVD・熱処理ロジック・メモリ・アナログ/パワーSi デバイスの熱処理

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •LP-CVD による CVD 膜・酸化膜の形成
  • •酸化・拡散・アニール

掲載カテゴリ

AdvancedAce-IIは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

Kokusai Electric(国際電気)

バッチ式縦型CVD・熱処理装置の世界的リーダー。酸化・窒化・ALD成膜を高スループットで実現し、DRAM・NANDのゲート絶縁膜形成に不可欠。

Kokusai Electric(国際電気) の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06
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