TSURUGI-C²®（ミニバッチ成膜装置）

KOKUSAI ELECTRIC のミニバッチ式サーマルプロセス装置。容積を最小化した反応炉で、高難易度の成膜と高い生産性を両立する。

TSURUGI-C²とは

TSURUGI-C²（剱）は、KOKUSAI ELECTRIC の 300mm 対応ミニバッチ式成膜装置です。次世代デバイスに求められる高難易度の成膜と高い生産性を両立するサーマルプロセス装置として位置づけられています。

容積を最小化した反応炉を採用し、ローディング効果を抑えて膜厚均一性を高めています。低発塵・高速のウェーハ搬送システムを備え、高生産性と省フットプリントを実現しています。

KOKUSAI ELECTRIC は、複数のガスをサイクリックに供給して原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼び、LP-CVD・酸化・アニール・拡散とあわせてバッチ式の成膜装置を展開しています。ミニバッチ系には上位機の Advanced TSURUGI と、最上位モデルの Advanced TSURUGI Plus-Ⅲ があり、三次元積層デバイス向けの高難易度成膜に対応します。

主な特長

•容積を最小化したウェーハ反応炉でローディング効果を低減
•低発塵・高速のウェーハ搬送システム
•高生産性・省フットプリント

主な仕様

対応ウェハ径	300 mm
方式	ミニバッチ式（サーマル）
特徴	容積最小化の反応炉でローディング効果を低減・膜厚均一性を向上
関連機種	Advanced TSURUGI／Advanced TSURUGI Plus-Ⅲ（最上位）

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsOlympia® ALD	東京エレクトロン（TEL）TELINDY PLUS™ IRad™（バッチ式ALD）	東京エレクトロン（TEL）NT333™（セミバッチ式ALD）	Kokusai Electric（国際電気）TSURUGI-C²®（ミニバッチ成膜装置）	Lam ResearchStriker®（枚葉ALD）
方式	空間分離型 ALD（ウェーハが隔離ゾーンを回転）	バッチ式（最大 125 枚）、プラズマ援用	セミバッチ式 ALD（熱／プラズマ）	ミニバッチ式（サーマル）	枚葉 ALD（マルチステーション）
対応ウェハ径	300 mm	300 mm	300 mm（6 枚／チャンバー、2 チャンバーで 12 枚）	300 mm	—
対象膜	絶縁膜	極低温 ALD-SiN・ALD-SiO₂	SiO₂・SiN・High-k 酸化膜	—	絶縁膜（ドーピング・in-situ マストリム対応）
特徴	前駆体を完全に分離、時間分離型 ALD 比で生産性 50% 以上向上	in-situ ドライガスクリーニング、プロセス温度 RT〜800°C	高ステップカバレッジ・低温改質ステップ・応力制御	容積最小化の反応炉でローディング効果を低減・膜厚均一性を向上	—
主要用途	DRAM・3D NAND・FinFET の低温 ALD	—	—	—	パターニング用スペーサー・コンフォーマルライナー・ギャップフィル
関連機種	—	NT333™（セミバッチ式 ALD）	—	Advanced TSURUGI／Advanced TSURUGI Plus-Ⅲ（最上位）	—