Advanced TSURUGI 剱

三次元積層デバイス向けに新反応炉を採用した KOKUSAI ELECTRIC のミニバッチ成膜装置。フットプリントを従来比 10% 削減。

Advanced TSURUGI 剱とは

Advanced TSURUGI 剱は、KOKUSAI ELECTRIC のミニバッチ成膜装置です。構造の微細化と複雑化が進む次世代デバイスに向けて、難しい成膜と高い生産性を両立するサーマルプロセス装置です。

三次元積層デバイスへの難しい成膜を実現する新しい反応炉を採用しました。容積を最小にしたうえで最適化したウェーハ反応炉と大きな排気で、ローディング効果を減らして膜厚の均一性を高め、反応ガスの置換効率を上げて成膜時間を短くしています。

低発塵・高速のウェーハ搬送システムを持ち、高い生産性とともに設置面積を従来より 10% 減らしました。

主な特長

•新反応炉で三次元積層に対応
•ローディング効果を低減
•設置面積を従来比 10% 削減

主な仕様

方式	ミニバッチ・サーマルプロセス（薄膜形成）
対応ウェハ径	300 mm
特徴	容積を最小化した反応炉・大排気・省フットプリント（従来比 −10%）

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsOlympia® ALD	Applied MaterialsCentris™ Spectral™ Mo ALD	Applied MaterialsCentris™ Spectral™ SiN ALD	Applied MaterialsEndura™ Trillium™ ALD	東京エレクトロン（TEL）TELINDY PLUS™ IRad™（バッチ式ALD）	東京エレクトロン（TEL）NT333™（セミバッチ式ALD）	Kokusai Electric（国際電気）TSURUGI-C²®（ミニバッチ成膜装置）	Kokusai Electric（国際電気）Advanced TSURUGI Plus-Ⅲ 剱	Kokusai Electric（国際電気）Advanced TSURUGI 剱	Lam ResearchStriker®（枚葉ALD）	ASMインターナショナルXP4 EmerALD®	ASMインターナショナルXP4 Pulsar®	ASMインターナショナルXP8 Synergis®	ASMインターナショナルXP8 DCM™ PEALD	ASMインターナショナルXP8 QCM PEALD	ASMインターナショナルXP8 JQCM™ PEALD	ASMインターナショナルXP8 Magma PEALD
方式	空間分離型 ALD（ウェーハが隔離ゾーンを回転）	ALD（単結晶モリブデンのボトムアップ成膜）	空間分割 ALD＋直接型マイクロ波プラズマ（Nimbus）	ALD（Endura プラットフォーム）	バッチ式（最大 125 枚）、プラズマ援用	セミバッチ式 ALD（熱／プラズマ）	ミニバッチ式（サーマル）	ミニバッチ・サーマルプロセス（薄膜形成）	ミニバッチ・サーマルプロセス（薄膜形成）	枚葉 ALD（マルチステーション）	ALD（シャワーヘッド・ダイレクト／リモートプラズマ）	ALD（等温・クロスフロー反応炉）	熱 ALD	プラズマ ALD（PEALD）	プラズマ ALD（PEALD）	プラズマ ALD（PEALD）	プラズマ ALD（PEALD）
主要用途	DRAM・3D NAND・FinFET の低温 ALD	GAA・CFET 世代のコンタクト	—	FinFET・GAA・CFET	—	—	—	—	—	パターニング用スペーサー・コンフォーマルライナー・ギャップフィル	メタルゲート層・低温酸化膜・キャパシタ電極	—	—	ライナー・スペーサー・多重パターニング・ゲート酸化膜	SiO ライナー・ハードマスク・スペーサー・CIS の TiO ギャップフィル	SiN ライナー・スペーサー・エッチストップ・ギャップフィル	SiO ライナー・スペーサー・TSV ライナー・VNAND の R-Pad SiN
対応ウェハ径	300 mm	—	—	—	300 mm	300 mm（6 枚／チャンバー、2 チャンバーで 12 枚）	300 mm	300 mm	300 mm	—	—	—	300 mm	—	—	—	—
特徴	前駆体を完全に分離、時間分離型 ALD 比で生産性 50% 以上向上	—	低温・高カバレッジ・マルチペデスタルで高スループット	—	in-situ ドライガスクリーニング、プロセス温度 RT〜800°C	高ステップカバレッジ・低温改質ステップ・応力制御	容積最小化の反応炉でローディング効果を低減・膜厚均一性を向上	高性能ウェーハ反応炉・高性能ガス供給／排気・ヘルスチェック機能（オプション）	容積を最小化した反応炉・大排気・省フットプリント（従来比 −10%）	—	—	—	—	—	—	—	—
構成	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	XP クラスターに最大 4 モジュール	XP4 クラスターに最大 4 モジュール	—	最大 4 DCM・8 反応室	最大 4 QCM・16 反応室	最大 4 プロセスモジュール（各 4 反応室）	最大 4 反応チャンバー・同時 16 枚
対象膜	絶縁膜	—	—	—	極低温 ALD-SiN・ALD-SiO₂	SiO₂・SiN・High-k 酸化膜	—	—	—	絶縁膜（ドーピング・in-situ マストリム対応）	—	—	—	—	—	—	—
膜種	—	—	窒化シリコン（SiN）	仕事関数メタル・ダイポール層・ライナー・キャップ膜など	—	—	—	—	—	—	—	—	金属酸化物・絶縁膜・金属窒化物・純金属	—	—	—	—
関連機種	—	—	—	—	NT333™（セミバッチ式 ALD）	—	Advanced TSURUGI／Advanced TSURUGI Plus-Ⅲ（最上位）	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—

1機種だけが掲載している項目（3件）

効果	—	選択 W 比でコンタクト抵抗を 15% 低減	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
シリーズ構成	—	—	—	—	—	—	—	—	—	Striker／Striker FE	—	—	—	—	—	—	—
原料	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	固体原料の供給システム	—	—	—	—	—