LPCVD(低圧CVD)メーカー7

LPCVD装置(減圧CVD)は、数十〜数百Paの減圧下で熱分解反応により膜を堆積させる化学気相成長装置です。圧力を下げると原料ガスの拡散が速くなり、ウェハ間・面内の膜厚均一性と段差被覆性(ステップカバレッジ)が大きく改善します。縦型炉に100枚以上を一括で装填するバッチ処理が主流で、ポリシリコン・窒化シリコン・TEOS酸化膜の成膜に広く使われます。成膜温度が600〜800°Cと高いため熱予算の制約を受けますが、膜質の良さと処理コストの低さで前工程の基盤装置であり続けています。

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主要特徴

減圧下の熱分解反応で膜厚均一性と段差被覆性に優れる
縦型炉に100枚以上を一括装填するバッチ処理が主流
ポリシリコン・窒化シリコン・TEOS酸化膜の成膜に使う
成膜温度が高く熱予算の制約を受ける点が制限になる

メーカー

7社の主要メーカー

Kokusai Electric(国際電気)日本

バッチ式縦型CVD・熱処理装置の世界的リーダー。酸化・窒化・ALD成膜を高スループットで実現し、DRAM・NANDのゲート絶縁膜形成に不可欠。

バッチ式CVD装置
VERTEXTRIORA
熱処理装置
縦型拡散炉酸化炉
  • バッチ式縦型CVDで世界最高水準のスループット
  • バッチALD装置による高アスペクト比への均一成膜
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ASMインターナショナルオランダ

ALD(原子層堆積)装置とエピタキシャル成長装置のグローバルリーダー。次世代ロジック・メモリプロセスに不可欠な高品質薄膜形成技術を提供。

ALD装置
Pulsar(熱ALD)Eagle(プラズマALD)Synapse(バッチALD)
エピタキシャル成長装置
Intrepid ES(SiGe/Si)EmerALD(III-V)
  • ALD装置で世界トップシェア。GAA・FinFET向けハイK/メタルゲートに必須
  • SiGe・III-Vエピタキシャル成長装置でも高い技術力
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Applied Materials米国

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

成膜装置
CVDPVDALD
エッチング装置
エッチングシステム
CMP・イオン注入
CMP装置イオン注入装置
  • 世界最大の半導体製造装置サプライヤー
  • 成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
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光洋サーモシステム日本

ジェイテクトグループの熱処理装置メーカー。半導体向けの縦型拡散炉・横型拡散炉、ランプアニール装置などを供給し、酸化膜形成や不純物拡散、活性化アニールの工程を支える。

拡散炉
縦型拡散炉横型拡散炉酸化炉
急速熱処理
ランプアニール装置RTP装置
  • 縦型・横型の拡散炉を自社で設計製造
  • ランプ加熱による急速熱処理(RTP)に対応
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ジュソンエンジニアリング(Jusung Engineering)韓国

韓国発のCVD・ALD・ドライエッチング装置の総合メーカー。メモリ半導体・ディスプレイ向けの成膜・エッチング装置を中心に、韓国半導体産業の成長を支えてきた。

成膜・エッチング装置
CVD装置ALD装置ドライエッチング装置
  • CVD/ALD/エッチングを総合展開
  • メモリ半導体向けに豊富な導入実績
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SPPテクノロジーズ日本

住友精密工業から分社した装置メーカー。シリコン深掘りエッチング装置(DRIE)とプラズマCVD装置を主力とし、MEMS・パワーデバイス・TSV形成など高アスペクト比加工の用途に強い。

エッチング装置
シリコン深掘りエッチング装置(DRIE)
成膜装置
プラズマCVD装置
  • シリコン深掘りエッチング(DRIE)の専業メーカー
  • MEMS・TSVなど高アスペクト比加工の実績
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住友精密工業日本

MEMS・パワー・TSV向けの深掘り反応性イオンエッチング(DRIE)装置やマイクロ加工技術で知られる。航空・熱制御事業も併せ持つ精密機器メーカー。

微細加工装置
DRIE(深掘りエッチング)装置MEMS製造プロセス装置表面処理装置
  • 深掘りエッチング(DRIE)で高アスペクト比加工に強み
  • MEMS・TSV・パワーデバイス向けプロセス
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関連カテゴリ

ALD装置

ALD装置(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)は、原子層単位で薄膜を精密成膜できる最先端の成膜装置です。

メーカー 6
CVD装置

CVD装置(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)は、原料ガスの化学反応によりウェハ表面に高品質な薄膜を形成する成膜装置です。

メーカー 11
めっき装置(電解銅めっき)

めっき装置(電解銅めっき/ECD)は、めっき液中で電流を流し、ビアやトレンチの内部に銅を析出させて配線を形成する装置です。

メーカー 3
エピタキシャル成長装置

エピタキシャル成長装置(Epitaxy)は、単結晶シリコン基板上に同じ結晶方位を持つ薄い単結晶層(エピタキシャル層)を成長させる特殊な成膜装置です。

メーカー 4
MBE装置(分子線エピタキシー)

MBE装置(分子線エピタキシー)は、超高真空中で原料元素を加熱蒸発させ、分子線として基板へ到達させることで1原子層単位の結晶成長を行う成膜装置です。

メーカー 4
MOCVD装置

MOCVD装置(有機金属気相成長)は、トリメチルガリウムなどの有機金属原料とアンモニアなどの水素化物を加熱した基板上へ供給し、熱分解反応で化合物半導体の結晶膜をエピタキシャル成長させる装置です。

メーカー 5
PECVD(プラズマCVD)

PECVD装置(プラズマCVD)は、プラズマで原料ガスを分解し、熱だけでは進まない成膜反応を低温で進める化学気相成長装置です。

メーカー 8
PVD装置

PVD装置(Physical Vapor Deposition:物理気相成長)は、真空中でターゲット材料を蒸発・スパッタリングしてウェハ表面に堆積させる成膜装置です。

メーカー 5
スパッタリング装置

スパッタリング装置は、真空中でアルゴンイオンをターゲットに衝突させ、弾き出された原子をウェハ表面へ堆積させるPVD装置です。

メーカー 4
真空蒸着装置

真空蒸着装置は、高真空中で材料を加熱蒸発させ、蒸気を基板上で凝縮させて膜を作るPVD装置です。

メーカー 5

関連用語

比較・違いを学ぶ

CVDとPVDの違い(成膜プロセス比較)
CVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長)は気相の化学反応で薄膜を堆積し、PVD(Physical Vapor Depositi
ALDとCVDの違い(原子層成膜 vs 化学気相成膜)
CVD(Chemical Vapor Deposition)は反応ガスを同時供給して連続的に成膜するのに対し、ALD(Atomic Layer Depositi
PECVDとLPCVDの違い(プラズマCVD vs 熱CVD)
PECVDとLPCVDはどちらもCVD(化学気相成長)の一方式ですが、活性化エネルギーの源泉が根本的に異なります。PECVD(Plasma Enhanced C
ALDとPVDの違い(原子層成膜 vs スパッタ成膜)
ALD(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)とPVD(Physical Vapor Deposition:物理気相成長)は、どちらも半導
MOCVDとMBEの違い(化合物半導体エピタキシー比較)
MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長)はGaN LED・パワーHEMT・HBT・レーザー
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