最後更新:2026年10月23日CVD 設備

Producer XP Precision Draco CVD的特點與規格

應用材料(Applied Materials)・CVD 設備

用於蝕刻 DRAM 電容孔的硬遮罩。選擇比比傳統產品提高 30% 以上,即使孔變深,遮罩也不會被蝕刻殆盡。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Producer XP Precision Draco 是應用材料用於 DRAM 的硬遮罩。資料中心等對低成本・大容量 DRAM 的需求增加,而儲存用電容的微縮已成為 DRAM 的一大障礙。

電容是直徑約 30nm 的極小結構,電容量與體積成正比。直徑變小時,為維持電容量必須把孔挖得更深(提高深寬比),但用於蝕刻深孔的高能離子也會削蝕硬遮罩。若孔尚未完成遮罩就已消失,元件便會成為不良品。

Draco 採用新材料,選擇比比傳統 DRAM 電容用硬遮罩提高 30% 以上,使高深寬比電容孔的形成成為可能。

主要規格

方式CVD(硬遮罩)
效果選擇比比傳統 DRAM 電容用產品提高 30% 以上
主要用途DRAM 儲存電容的形成

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

選擇比提高 30% 以上
支援高深寬比電容孔

主要用途

  • DRAM 電容的形成

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹科學園區):1996 年進駐,技術研發中心
  • 台南據點(台南):製造中心與顯示器設備製造研發中心
  • 林口・台中據點(林口・台中):營運據點

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資料來源

  1. 應用材料(Applied Materials)官方產品頁面:Applied Materials Draco CVD