9800 TC next 是 Besi 熱壓接合（TCB）設備的最新機型。專為凸塊間距持續微縮之先進封裝的高密度互連而設計。
貼裝精度為 X・Y 0.5µm @3σ、最差角落 0.8µm @3σ、旋轉方向 1mdeg @3σ。接合荷重最大 500N（1kN 選配），接合頭可加熱至 450°C，從 100°C 到 400°C 以每秒超過 400°C 的速度升溫。
基板可處理最大 12 吋晶圓（FOUP 3 埠）與 300×300mm 的四分之一面板，晶粒尺寸從 0.3mm 見方到 70mm 見方。接合在氮氣微腔體（O₂ 低於 100ppm）中進行，處理能力在接合時間 1 秒的條件下最大為 2,500UPH。