高エネルギーイオン注入装置メーカー4社
高エネルギーイオン注入装置は、MeV級まで加速したイオンを基板の深部へ打ち込む装置です。リニアック（線形加速器）方式などで加速し、数μmの深さにレトログレードウェルや埋め込み層を形成します。CMOSイメージセンサのフォトダイオード分離、ラッチアップ耐性の向上、パワーデバイスの深い不純物層形成が代表的な用途です。逆に極浅接合を作る低エネルギー注入では、加速電圧を下げるとビーム電流が確保しにくくなるという別の難しさがあり、装置構成も目的に応じて分かれます。
主要特徴
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Axcelis TechnologiesPurion XE | 住友重機械イオンテクノロジーS-UHE／SS-UHE Ⅱ |
|---|---|---|
| 区分 | 高エネルギーイオン注入装置 | 高エネルギーイオン注入装置 |
| 加速方式 | RFリニアック（LINAC） | 多段RFリナック |
| 主要用途 | 深いウェル形成などの高エネルギー注入 | レトログレードウェルなどの深部注入 |
1機種だけが掲載している項目（3件）
| 特徴 | 広いエネルギーレンジ・金属汚染制御 | — |
|---|---|---|
| 関連機種 | Purion XE+ SiC・Purion EXE+ SiC（SiCパワーデバイス向け）（派生機種） | — |
| シリーズ構成 | — | S-UHE／SS-UHE Ⅱ／HE3 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
Purion XE
RFリニアック（LINAC）加速方式の高エネルギーイオン注入装置。広いエネルギーレンジと金属汚染の抑制を両立する。
| 区分 | 高エネルギーイオン注入装置 |
| 加速方式 | RFリニアック（LINAC） |
| 特徴 | 広いエネルギーレンジ・金属汚染制御 |
| 関連機種 | Purion XE+ SiC・Purion EXE+ SiC（SiCパワーデバイス向け）（派生機種） |
| 主要用途 | 深いウェル形成などの高エネルギー注入 |
S-UHE／SS-UHE Ⅱ
多段RFリナック加速方式の高エネルギーイオン注入装置シリーズ。S-UHEに対し、SS-UHE Ⅱは生産性を高めた機種にあたる。
| 区分 | 高エネルギーイオン注入装置 |
| 加速方式 | 多段RFリナック |
| シリーズ構成 | S-UHE／SS-UHE Ⅱ／HE3 |
| 主要用途 | レトログレードウェルなどの深部注入 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
4社の主要メーカー
イオン注入装置の専業メーカー。Purionシリーズで低〜高エネルギーの注入をカバーし、先端ロジック・メモリ・SiCパワー半導体の製造を支える。
- •イオン注入装置のグローバル主要サプライヤー
- •Purionシリーズによる幅広いドーズ・エネルギー対応
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
住友重機械工業グループのイオン注入装置専業メーカー。半導体前工程のドーパント注入から、太陽電池・パワー半導体向けの表面改質装置まで幅広く展開する。
- •イオン注入装置の専業メーカー
- •パワー半導体向け高エネルギー注入に対応
真空技術を核に、スパッタ・CVD・蒸着・エッチング・測定装置を手がける日本の総合真空機器メーカー。半導体に加えFPD・太陽電池にも展開。
- •真空ポンプからプロセス装置まで一貫した垂直統合
- •スパッタリング装置で国内トップクラス
関連カテゴリ
ビームライン式イオン注入装置は、イオン源で生成した不純物イオンを質量分析磁石で種別分離し、高エネルギーで加速してウェハに打ち込む装置です。
メーカー 5 社高電流イオン注入装置高電流イオン注入装置は、10mAを超える大電流ビームで高ドーズ注入を行う装置です。
メーカー 4 社中電流イオン注入装置中電流イオン注入装置は、ビーム電流が数十μA〜数mA程度の領域を受け持つイオン注入装置です。
メーカー 5 社プラズマドーピング装置プラズマドーピング装置（PLAD：Plasma Doping）は、プラズマ中に不純物ガスを導入し、ウェハ表面全体に一様にイオンを照射・注入する装置です。
メーカー 2 社