Centris® Sym3® Y Etch

Applied Materials の最先端コンダクタエッチングシステム。高コンダクタンスのチャンバーとパルス RF 源で、エッチング副生成物を素早く排気してプロファイルを制御する。

Centris Sym3 Y Etchとは

Centris Sym3 Y は、Applied Materials が「最も先進的なエッチングシステム」と位置づけるコンダクタエッチング装置です。実績のある Centris Sym3 の設計を、先端メモリとファウンドリ・ロジックのクリティカルなコンダクタエッチングと EUV パターニング向けに改良しました。

ノードが1桁 nm 台に入ると、エッチング深さや線幅、側壁角のわずかな差が致命的な欠陥になります。Sym3 Y は高コンダクタンスのチャンバー構造とパルス RF 源を組み合わせ、ウェーハごとに溜まるエッチング副生成物を素早く排気することでプロファイルを制御します。

非常に高い選択比により、異なる材料の多層膜を1つのチャンバーで連続エッチングでき、FinFET や GAA のような高密度・高アスペクト比構造を形成できます。重要部品を保護する独自コーティングで欠陥を減らし、新しい静電チャックでダイ間ばらつきを、アクティブエッジ制御で最外周の歩留まりを改善します。

主な特長

•高コンダクタンスチャンバー＋パルス RF 源による副生成物の高速排気
•高選択比で多層膜を1チャンバーで連続エッチング
•チャンバー部品の独自コーティングで欠陥を低減
•新型静電チャックとアクティブエッジ制御でウェーハ全面の均一性を向上

主な仕様

方式	プラズマエッチング（パルス RF 源・高コンダクタンスチャンバー）
対象	コンダクタ・EUV パターニング
主な技術	独自コーティング・新型静電チャック・アクティブエッジ制御
主要用途	先端メモリ・ファウンドリロジックの FinFET・GAA 形成

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Lam ResearchKiyo®（コンダクタエッチング）	Applied MaterialsCentris® Sym3® Y Etch	東京エレクトロン（TEL）Tactras™	Plasma-Therm JapanVERSALINE® ICP
方式	反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマ ALE 対応	プラズマエッチング（パルス RF 源・高コンダクタンスチャンバー）	反応性イオンエッチング（RIE）	ICP（誘導結合型プラズマ）エッチング、2 MHz 加熱 ICP 源
対象	コンダクタ（Si・ポリSi・メタルゲートなど）	コンダクタ・EUV パターニング	絶縁膜・コンダクタ	III-V・II-VI 族、Si 系、絶縁膜、金属、圧電材料など
主要用途	STI・ソースドレイン・High-k/メタルゲート・FinFET・3D NAND	先端メモリ・ファウンドリロジックの FinFET・GAA 形成	高アスペクト比エッチング・マスク／絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜	パワーデバイス・フォトニクス・無線・MEMS・先端パッケージ
主な技術	Hydra（CD 均一性補正）・Corvus（ウェーハエッジのシース制御）	独自コーティング・新型静電チャック・アクティブエッジ制御	—	—
対応ウェハ径	—	—	300 mm	50 ～ 200 mm（300 mm へ拡張可能）
チャンバー構成	—	—	最大 6 チャンバー（水平対向設計）	シングルウェーハロードロック（LL）／カセットクラスター（CX）