Endura® Underbump Metallization PVD

UBM とボンドパッド向けの後工程 PVD。NiV・Cu・Ti・TiW・CuCr・TaN・Al を 1,000Å 未満から 1µm 超まで成膜する。

Endura Underbump Metallization PVDとは

Endura Underbump Metallization PVD は、Applied Materials の後工程パッケージング向け PVD 装置です。はんだバンプの下地金属（UBM）とボンドパッドの形成に使います。

NiV、Cu、Ti、TiW、CuCr、TaN、Al などを、1,000Å 未満から 1µm を超える幅広い厚さで均一に成膜します。先端配線で培った PVD、静電チャック、プリクリーンの技術を生かしています。

ウェーハ温度の能動制御と応力の調整で、配線金属とはんだバンプをうまくつなぎ、チップの損失を減らします。Preclean XT で有機物の残りや自然酸化膜をその場で除去し、低い接触抵抗と高い密着性を得ます。

主な特長

•多様な UBM 金属に対応
•1,000Å 未満〜1µm 超
•Preclean XT
•ウェーハ温度・応力の制御

主な仕様

方式	PVD（後工程パッケージング）
膜種	NiV・Cu・Ti・TiW・CuCr・TaN・Al
膜厚範囲	1,000Å 未満〜1µm 超

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsCharger® UBM PVD	Applied MaterialsEndura® Underbump Metallization PVD	Applied MaterialsTopaz™ PVD	Lam ResearchTriton（枚葉めっき・ウェット処理）	Lam ResearchKallisto（パネル ECD）	Lam ResearchPhoenix（パネル処理）	KLAKronos™ 1190XR	DISCODAS8930（サーフェースプレーナ）	DISCODFS8960（サーフェースプレーナ）	Onto InnovationPrimaScan™ P	Onto InnovationDragonfly® G5	Onto InnovationFirefly® G5	BesiDatacon 8800 CHAMEO advanced	キヤノン（Canon）FPA-5520iV	キヤノン（Canon）FPA-8000iW
方式	PVD（リニアアーキテクチャ）	PVD（後工程パッケージング）	—	枚葉電解めっき・ウェット処理	縦型のウェット処理・電解めっき	—	高解像度光学のパターン付きウェーハ検査	ダイヤモンドバイト切削平坦化（1 軸 1 チャックテーブル）	ダイヤモンドバイト切削平坦化（2 軸 2 チャックテーブル・搬送／洗浄付き）	レーザー走査＋イメージング	高速ラインスキャン 2D イメージング＋3D 計測	複数のイメージングモード（Clearfind）・高速 IR イメージング	フェイスダウン（フリップ）・フェイスアップ	—	—
対応基板	—	—	最大 600 × 600 mm	3 インチ〜300mm ウェーハ、300 × 300mm パネル	300 × 300mm〜1,100 × 1,300mm（Gen 5.1）・厚さ 200µm の薄ガラス	510 × 515 mm パネル（薄ガラス対応）	—	—	—	—	—	—	—	—	—
主要用途	—	—	PLP・ガラス／有機インターポーザ・部品内蔵基板	—	パッケージ基板・パネルレベルファンアウト	パネル上のバンプ・RDL・TGV めっき	—	—	—	ガラスパネルの受け入れ品質管理	—	—	—	—	—
対象	—	—	—	—	—	—	—	—	—	ガラスパネル基板（AICS・FOPLP）	—	先端 IC 基板・パネルレベルパッケージ	—	FOWLP の再構成基板	—
ラインアップ	—	—	—	Triton CX・Triton CM	—	Phoenix VRT（レジスト処理）・ECD（めっき）・VCA（洗浄）	—	—	—	—	—	—	—	—	—
加工精度	—	—	—	—	—	—	—	TTV 3.0µm 以下・バンプ高さばらつき 1.0µm 以下（5mm 角）	TTV 3.0µm 以下・バンプ高さばらつき 1.0µm 以下（5mm 角）	—	—	—	—	—	—

1機種だけが掲載している項目（19件）

対象金属	Ti・TiW・Cu・NiV など	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
構成	3 チャンバーから 5 チャンバーへ拡張可能・Volaris プリクリーン	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
膜種	—	NiV・Cu・Ti・TiW・CuCr・TaN・Al	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
膜厚範囲	—	1,000Å 未満〜1µm 超	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
基板温度	—	—	120℃ 未満	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
検出感度	—	—	—	—	—	—	150nm まで	—	—	—	—	—	—	—	—
特徴	—	—	—	—	—	—	DefectWise AI・DesignWise・広い厚さ範囲（XR）	—	—	—	—	—	—	—	—
面粗さ	—	—	—	—	—	—	—	Ra 0.02µm 以下	—	—	—	—	—	—	—
装置寸法	—	—	—	—	—	—	—	—	1,400 × 3,356 × 1,870 mm	—	—	—	—	—	—
感度	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	サブミクロン（150nm まで）	—	—	—	—
スループット	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	前機種比 3 倍以上	—	—	—	—
機能	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	2D／3D 計測・カラー画像取得	—	—	—
用途	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	FO-WLP のチップアタッチ	—	—
速度	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	最大 +40%	—	—
搬送	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	反りに合わせて変形するフレキシブルパッド	—
オプション	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	HR（高解像力）・LF／LF2（広画角）	—
解像力	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	1.0µm 以下
基板サイズ	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	515 × 510mm（最大 515 × 515mm）
画面サイズ	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	52 × 68mm または 55 × 65mm