Endura® Ventura® PVD
TSV のメタライゼーション専用の PVD。アスペクト比 10:1 以上の TSV と 2.5D インターポーザに対応する。
Endura Ventura PVDとは
Endura Ventura PVD は、Applied Materials の TSV（シリコン貫通ビア）のメタライゼーション専用の PVD 装置です。2 次元の微細化が限界に近づくなか、チップやウェーハを積み重ねて縦方向につなぐ TSV が 3D 化の手段になっています。
2D のダマシン配線の設備やノウハウを、アスペクト比 10:1 以上の TSV や 2.5D インターポーザに広げられます。TSV 向けに量産で使えるチタンバリアの成膜を実現した初めての PVD システムです。
通常の配線用 PVD は高アスペクト比を想定しておらず、ボイドのない埋め込みのために厚い膜を付ける必要がありました。Ventura は高い成膜速度と連続したステップカバレッジを両立し、コストと信頼性の課題に対応します。
主な特長
- •TSV 専用の PVD
- •アスペクト比 10:1 以上
- •量産用 Ti バリア
主な仕様
| 方式 | PVD（TSV 専用） |
|---|---|
| 対象 | アスペクト比 10:1 以上の TSV・2.5D インターポーザ |
| 特徴 | 量産に使える Ti バリア成膜を TSV で初めて実現 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsProducer™ Avila™ 2 PECVD | Applied MaterialsEndura® Ventura® PVD | Applied MaterialsProducer® Avila™ PECVD | Applied MaterialsProducer® InVia® CVD | 荏原製作所UFP600AS型 | 東京エレクトロン（TEL）Synapse™ V／Synapse™ Z Plus | KLASPTS Osprey® PECVD | レーザーテックVIANCA シリーズ | レーザーテックBGM300 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | PECVD（200℃ 未満の低温処理） | PVD（TSV 専用） | PECVD（能動冷却で最低 100℃） | CVD（TSV 絶縁ライナー） | 電解めっき（高速パドル方式） | — | PECVD（最低 110℃） | 独自光学系による深さ測定 | 独自干渉計＋IR 光学系 |
| 特徴 | ウェーハ反り（ボウ）補正の強化・Si／ガラスの支持基板に対応 | 量産に使える Ti バリア成膜を TSV で初めて実現 | — | — | 薄いシード層・多様な基板に対応、フレキシブルなプラットフォーム | 50µm 以下の薄ウェーハに対応（Synapse Z Plus） | — | — | — |
| 主要用途 | TSV ビア露出・HBM・ハイブリッドボンディング用絶縁膜 | — | — | — | バンプ・ピラー・再配線・貫通ビア・ファンアウト | — | TSV ライナー・ビア露出パッシベーション・ハイブリッド接合 | ビアエッチング後の深さ・Cu リセス量・バンプ高さ | — |
| 対象 | — | アスペクト比 10:1 以上の TSV・2.5D インターポーザ | — | — | — | — | — | 高アスペクト比・小径ビア（次世代 TSV） | — |
| 膜種 | — | — | 酸化膜・窒化膜 | — | — | — | SiN・SiO・TEOS SiO・SiCN など | — | — |
| 対応基板 | — | — | — | — | パッケージ用角基板（パネル） | — | — | — | Φ300mm（TSV・BSI 貼り合わせウェーハ） |
1機種だけが掲載している項目（6件）
| 構成 | — | — | Twin Chamber の Producer GT（同時に最大 6 枚） | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 膜厚 | — | — | — | 200nm〜1µm | — | — | — | — | — |
| 対応アスペクト比 | — | — | — | 6:1〜16:1 | — | — | — | — | — |
| 対応ウェハ径 | — | — | — | — | — | 300 mm | — | — | — |
| 仮接合精度 | — | — | — | — | — | 接着剤厚の TTV 5% 未満（Synapse V） | — | — | — |
| 装置サイズ | — | — | — | — | — | — | — | — | 1,450 × 2,650 × 1,885 mm |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •TSV のメタライゼーション
- •2.5D インターポーザ
掲載カテゴリ
Endura Ventura PVDは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Applied Materials
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
TSV形成装置のほかの製品
Applied Materialsのほかの製品
Reflexion LK Prime CMP（酸化膜CMP装置）Reflexion LK CMP（金属CMP装置）Vantage Vulcan RTP（RTP（急速熱処理）装置）VIISta Trident（高電流イオン注入装置）VIISta 900XP（中電流イオン注入装置）Producer Celera PECVD（PECVD（プラズマCVD））Producer Precision APF PECVD（PECVD（プラズマCVD））Kinex™ Die-to-Wafer Hybrid Bonding System（ハイブリッドボンディング装置）Centris® Sym3® Y Etch（ドライエッチング装置）Sym3™ Z Magnum™ Etch（シリコンエッチャー）Centura® Etch（ポリシリコンエッチャー）Producer® Selectra® Etch（酸化膜エッチャー）Producer® Selectra® Mo Etch（金属エッチャー）Olympia® ALD（ALD装置）Producer® XP Precision® CVD（CVD装置）Endura® PVD（PVD装置）Centura™ Prime™ Epi（エピタキシャル成長装置）Raider® ECD（めっき装置（電解銅めっき））Centura® Tetra™ Z Photomask Etch（マスクエッチング装置）Centura® Tetra™ EUV Advanced Reticle Etch（マスクエッチング装置）Vantage® Astra™ DSA（レーザーアニール装置）VIISta® PLAD（プラズマドーピング装置）SEMVision™ H20（レビューSEM）VeritySEM® 20 CD Metrology（CD-SEM）Centura® Silvia™ Etch（TSV形成装置）VIISta® 3000XP（高エネルギーイオン注入）（CMOSイメージセンサー製造装置）VIISta® 900 3D（ホットイオン注入）（SiCパワー半導体製造装置）Mirra® Durum™ CMP（SiCパワー半導体製造装置）SmartFactory MES（生産管理システム（MES））Aera™ 6 Mask Inspection（マスク検査装置）Aeris®-G Plasma Abatement System（排ガス処理装置（アバトメント））Aeris®-S（排ガス処理装置（アバトメント））Aeris®-Si（排ガス処理装置（アバトメント））Alta® 4700DP Mask Writer（マスク描画装置（EB描画））Producer™ Avila™ 2 PECVD（TSV形成装置）Producer Precision™ Selective Nitride PECVD（PECVD（プラズマCVD））Producer® XP Precision® Pioneer® CVD（CVD装置）Sigmameltec CTS Mask Coat Series（マスクコータ／デベロッパ）Sigmameltec MRC Mask Clean Series（マスク洗浄・乾燥装置）Sigmameltec SFB Mask Bake Series（マスクコータ／デベロッパ）Sigmameltec SFD Mask Develop Series（マスクコータ／デベロッパ）iSystem® Controller（装置管理システム（EES））Axcela™ PVD（PVD装置）Centris™ Spectral™ Mo ALD（ALD装置）Centris™ Spectral™ SiN ALD（ALD装置）Centura® DPN HD（RTP（急速熱処理）装置）Centura® DXZ CVD（CVD装置）Centura® Epi 200mm（エピタキシャル成長装置）Centura™ Sculpta™ Pattern-Shaping System（ドライエッチング装置）Centura® Ultima HDP CVD®（CVD装置）Centura™ Xtera™ Epi（エピタキシャル成長装置）Centura™ iSprint™ SSW ALD/CVD（CVD装置）Charger® UBM PVD（ウェハレベルパッケージング）ComPLUS™ 5P Optical Inspection（光学式ウェーハ検査装置）Endura® ALPS® PVD（PVD装置）Endura® Amber™ PVD（PVD装置）Endura® Avenir® RF PVD（PVD装置）Endura® Cirrus™ HT Co PVD（PVD装置）Endura® Cirrus™ HTX PVD（PVD装置）Endura® Clover® MRAM PVD（PVD装置）Endura® CuBS RF XT PVD（PVD装置）Endura™ CuBS Volta™ Ruthenium CVD（CVD装置）Endura® iLB™ PVD/ALD（PVD装置）Endura® Impulse™ PCRAM PVD（PVD装置）Endura® Ioniq™ W PVD（PVD装置）Endura™ Trillium™ ALD（ALD装置）Endura® Underbump Metallization PVD（ウェハレベルパッケージング）Endura® Versa™ XLR2 W PVD（PVD装置）Endura® Volta® Cobalt CVD（CVD装置）Endura® Volta® Selective W CVD（CVD装置）Endura® Volta® W CVD（CVD装置）Enlight™ 3 Optical Inspection（光学式ウェーハ検査装置）HawkEye™ Optical Inspection（光学式ウェーハ検査装置）Mirra® CMP 200mm（酸化膜CMP装置）Nokota VMax™ 2 ECD（めっき装置（電解銅めっき））Opta™ CMP（金属CMP装置）PROVision™ 10 eBeam Metrology（CD-SEM）PROVision™ 4E eBeam Metrology（CD-SEM）Pika™ PVD（PVD装置）PrimeVision® 10 eBeam Inspection（電子線（EB）検査装置）Producer® Pyra® Anneal（アニール炉）Producer® Avila™ PECVD（TSV形成装置）Producer® BLOk™ PECVD（PECVD（プラズマCVD））Producer™ Black Diamond™ PECVD（PECVD（プラズマCVD））Producer® CVD（CVD装置）Producer® DARC® PECVD（PECVD（プラズマCVD））Producer® Etch（ドライエッチング装置）Producer® Eterna® FCVD™（CVD装置）Producer® HARP®（CVD装置）Producer® InVia® CVD（TSV形成装置）Producer® Onyx®（PECVD（プラズマCVD））Producer™ Viva™ Radical Treatment（ドライ洗浄装置）Producer® XP Precision® Draco™ CVD（CVD装置）Reveal™ Defect Analysis（故障解析装置）SEMVision™ G10 Defect Analysis（レビューSEM）SEMVision™ G7 Defect Analysis（レビューSEM）SEMVision™ G7AP Defect Analysis（レビューSEM）SEMVision® G9 Defect Analysis（レビューSEM）Topaz™ PVD（ウェハレベルパッケージング）VIISta® HCP（高電流イオン注入装置）Vantage® RadOx™ RTP（RTP（急速熱処理）装置）Vantage® Radiance® Plus RTP（RTP（急速熱処理）装置）Vera® Optical Inspection（光学式ウェーハ検査装置）VeritySEM® 6C CD Metrology（CD-SEM）VeritySEM® 6D CD Metrology（CD-SEM）VeritySEM™ AP CD Metrology（CD-SEM）
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-07