Olympia® ALD

ウェーハを化学種ごとに隔離したゾーンへ回転させて通す、Applied Materials の空間分離型 ALD システム。低温で高品質な絶縁膜を成膜する。

Olympia ALDとは

Olympia ALD は、Applied Materials の絶縁膜用 ALD（原子層堆積）システムです。チャンバー内でウェーハが化学種ごとに隔離されたゾーンを回転しながら通過し、2種類の化学種に順に触れて表面で反応させることで、1サイクルごとにコンフォーマルな単原子層を積み上げます。必要に応じて処理（トリートメント）工程を組み込めます。

ALD は DRAM、3D NAND、ロジック FinFET の製造で使われる工程がますます増えています。膜厚の均一性と被覆性は CD 制御に欠かせない一方、限られた熱履歴の中で高品質な膜を得ることも求められます。Olympia は独自のシーケンス機能で、平面・3D デバイスの製造に必要な低温での高品質 ALD 膜を実現します。

前駆体どうしを完全に分離する化学種管理により、化学種が混ざって生じる副生成物やパーティクルを最小限に抑え、欠陥が少なくクリーニング間隔も長くなります。さらに従来の時間分離型 ALD で必要だったポンプ／パージ工程をなくし、50% 以上の生産性向上を得ています。

主な特長

•ウェーハが隔離ゾーンを回転する空間分離型 ALD
•前駆体の完全分離で副生成物・パーティクルを抑制
•時間分離型 ALD 比で 50% 以上の生産性向上
•低温で高品質な絶縁膜、多様な前駆体に対応

主な仕様

対応ウェハ径	300 mm
方式	空間分離型 ALD（ウェーハが隔離ゾーンを回転）
対象膜	絶縁膜
特徴	前駆体を完全に分離、時間分離型 ALD 比で生産性 50% 以上向上
主要用途	DRAM・3D NAND・FinFET の低温 ALD

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsOlympia® ALD	東京エレクトロン（TEL）TELINDY PLUS™ IRad™（バッチ式ALD）	東京エレクトロン（TEL）NT333™（セミバッチ式ALD）	Kokusai Electric（国際電気）TSURUGI-C²®（ミニバッチ成膜装置）	Lam ResearchStriker®（枚葉ALD）
方式	空間分離型 ALD（ウェーハが隔離ゾーンを回転）	バッチ式（最大 125 枚）、プラズマ援用	セミバッチ式 ALD（熱／プラズマ）	ミニバッチ式（サーマル）	枚葉 ALD（マルチステーション）
対応ウェハ径	300 mm	300 mm	300 mm（6 枚／チャンバー、2 チャンバーで 12 枚）	300 mm	—
対象膜	絶縁膜	極低温 ALD-SiN・ALD-SiO₂	SiO₂・SiN・High-k 酸化膜	—	絶縁膜（ドーピング・in-situ マストリム対応）
特徴	前駆体を完全に分離、時間分離型 ALD 比で生産性 50% 以上向上	in-situ ドライガスクリーニング、プロセス温度 RT〜800°C	高ステップカバレッジ・低温改質ステップ・応力制御	容積最小化の反応炉でローディング効果を低減・膜厚均一性を向上	—
主要用途	DRAM・3D NAND・FinFET の低温 ALD	—	—	—	パターニング用スペーサー・コンフォーマルライナー・ギャップフィル
関連機種	—	NT333™（セミバッチ式 ALD）	—	Advanced TSURUGI／Advanced TSURUGI Plus-Ⅲ（最上位）	—