ニコン(Nikon)/DUV露光装置

NSR-S215D

200mm と 300mm のウェハに両対応し、既存の KrF スキャナーと互換性の高いニコンの KrF スキャナー。

NSR-S215Dとは

NSR-S215D は、ニコンの KrF スキャナーです。200mm と 300mm のウェハに両対応し、成熟ノードを中心にさまざまな半導体デバイスの効率的な生産に使われます。

共通のボディプラットフォームを採用し、スループットを高めながら従来装置と同等の露光性能を実現しました。反ったウェハにも対応し、レシピ作成を自動化できます。ニコンの既存の KrF スキャナーと互換性が高く、マスクやレシピを共有できるため、置き換えにも向いています。

長期の使用を見込んで部品レベルから設計を見直し、メンテナンス性を高めています。解像度は 110nm 以下、NA 0.82、最大露光範囲 26 × 33mm、重ね合わせ精度は MMO 15nm 以下です。スループットはオプション適用時に 200mm で毎時 330 枚以上(46 ショット)、300mm で毎時 200 枚以上(96 ショット)です。

主な特長

  • •200/300mm 両対応
  • •既存機とマスク・レシピを共有
  • •反りウェハに対応
  • •長期サポートを見込んだ設計

主な仕様

光源・NAKrF(248nm)・0.82
解像度110nm 以下
ウェハサイズ200/300mm 両対応
スループット毎時 330 枚以上(200mm・46 ショット)/200 枚以上(300mm・96 ショット)

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目ASMLTWINSCAN NXT:2100iASMLTWINSCAN NXT:2150iASMLTWINSCAN NXT:2050iASMLTWINSCAN NXT:2000iASMLTWINSCAN NXT:1980FiASMLTWINSCAN NXT:1470ASMLTWINSCAN XT:1460KASMLTWINSCAN XT:1060KASMLTWINSCAN NXT:870BASMLTWINSCAN NXT:870ASMLTWINSCAN XT:860NASMLTWINSCAN XT:860Mニコン(Nikon)NSR-S635Eニコン(Nikon)NSR-S636Eニコン(Nikon)NSR-S625Eニコン(Nikon)NSR-S333Fニコン(Nikon)NSR-S322Fニコン(Nikon)NSR-S220Dニコン(Nikon)NSR-S215Dキヤノン(Canon)FPA-3030EX6キヤノン(Canon)FPA-6300ES6aキヤノン(Canon)FPA-6300ESW
光源ArF 液浸(193 nm)ArF 液浸(193nm)ArF 液浸(193nm)ArF 液浸(193nm)ArF 液浸(193nm)ArF ドライ(193nm)ArF ドライ(193nm・45W レーザ)KrF(248nm・40W レーザ)KrF ドライ(248nm)KrF(248nm・40/60W レーザ)KrF(248nm・40/50/60W レーザ)KrF(248nm・40W レーザ)ArF 液浸(193 nm)——————KrF(248 nm)——
スループット—————毎時 300 枚超——毎時 400 枚(300mm)毎時 330 枚(300mm)毎時 260 枚(300mm)・275 枚(200mm)—275 枚/時 以上(96 ショット)毎時 280 枚以上(96 ショット)毎時 280 枚以上(96 ショット)毎時 300 枚以上(96 ショット)毎時 230 枚以上(オプションで 250 枚以上)毎時 230 枚以上(96 ショット)毎時 330 枚以上(200mm・46 ショット)/200 枚以上(300mm・96 ショット)121 枚/時 以上——
重ね合わせ精度単体機 0.9 nm・機間 1.3 nm(前機種比 10%/13% 改善)———————————MMO 2.1 nm 以下MMO 2.1nm 以下MMO 2.5nm 以下MMO 4nm 以下MMO 5nm 以下MMO 6nm 以下—25 nm 以下5nm 以下(オプション適用時)9nm 以下
解像度————38 nm—65 nm—————38 nm 以下38nm 以下38nm 以下65nm 以下65nm 以下110nm 以下110nm 以下150 nm 以下——
投影光学系——NA 1.35NA 1.35(インライン反射屈折レンズ)——可変 NA 0.93——可変 NA 0.55〜0.80(ZEISS Starlith 865)可変 NA 0.55〜0.80(ZEISS Starlith 860+)可変 NA 0.55〜0.80(Carl Zeiss Starlith 860+)——————————
光源・NA—————————————ArF 液浸(193nm)・1.35ArF 液浸(193nm)・1.35ArF ドライ(193nm)・0.92ArF ドライ(193nm)・0.92KrF(248nm)・0.82KrF(248nm)・0.82———
対応ウェハ径300 mm——————————300 mm———————100/125/150/200 mm(選択)——
主要用途先端メモリ・ロジック(EUV との混用工程)——————2X nm 以降のメタル・ビア・注入層——————————————
改善—製品上の重ね合わせ 15% 改善・スループット 5% 向上——————NXT:870 比 20% 向上—————————————
特徴—ダイヤモンドウェーハテーブル—————KrF で業界最高の NA と生産性——————————————
開口数(NA)————————————1.35——————0.65 ~ 0.50(自動可変)——
光源・解像力————————————————————KrF 248nm・90nm 以下KrF 248nm・130nm 以下
1機種だけが掲載している項目(9件)
ステージデュアルステージ—————————————————————
プラットフォーム——NXT4———————————————————
生産性———最高 1 日 4,600 枚——————————————————
性能————装置間マッチング重ね合わせ 2.5nm・毎時 330 枚—————————————————
重ね合わせ—————製品上 4.5nm 未満(ドライ機で初)————————————————
関連機種————————————NSR-S636E(後継機)—————————
ウェハサイズ——————————————————200/300mm 両対応———
NA・画面サイズ————————————————————0.86〜0.50(自動可変)・26 × 33mm—
画面サイズ・縮小比—————————————————————33 × 42.2mm・1:3.125

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •成熟ノードのデバイス
  • •既存 KrF 装置の置き換え

掲載カテゴリ

NSR-S215Dは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

ニコン(Nikon)

DUVスキャナーおよびi線ステッパーの主要メーカー。高解像度光学技術とウェーハステージ技術に強みを持ち、成熟プロセス向けや再生装置市場で存在感を発揮。

ニコン(Nikon) の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

DUV露光装置のほかの製品

ニコン(Nikon)のほかの製品

関連用語

出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
半導体製造装置の製品一覧へ →