Producer® Etch

特許の Twin Chamber を使う 90nm 以下向けの高生産性エッチング装置。最大 3 つの Twin Chamber を搭載する。

Producer Etchとは

Producer Etch は、Applied Materials のエッチング装置です。特許の Twin Chamber 設計を使い、90nm 以下の高い生産性が必要なエッチング用途に向けた、信頼性が高くコスト効率のよい量産機です。

最大 3 つの Twin Chamber を搭載でき、2 FOUP・デュアルロボットのファクトリーインターフェースで最高の処理密度を得ながら、単一チャンバー並みの性能と工程制御を保ちます。各 Twin Chamber は 1 枚処理と 2 枚処理を切り替えられます。

電極間のすき間を調整してエッチング速度、均一性、レジスト選択比を最適化できます。プラズマの閉じ込め、その場クリーニング、プラズマに強い高純度の材料で、量産でのウェットクリーンの間隔は 500 RF 時間以上です。

主な特長

•Twin Chamber で高い処理密度
•電極間ギャップの調整
•ウェットクリーン間隔 500 RF 時間以上

主な仕様

方式	容量結合プラズマエッチング（Twin Chamber）
構成	最大 3 Twin Chamber・2 FOUP のデュアルロボット
ウェットクリーン間隔	500 RF 時間以上

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Lam ResearchKiyo®（コンダクタエッチング）	Lam ResearchCoronus®（ベベルエッチング・成膜）	Lam ResearchAkara®	Applied MaterialsCentris® Sym3® Y Etch	Applied MaterialsCentura™ Sculpta™ Pattern-Shaping System	Applied MaterialsProducer® Etch	東京エレクトロン（TEL）Tactras™	Plasma-Therm JapanVERSALINE® ICP	ULVAC（アルバック）NE-550EX（ドライエッチング装置）	ULVAC（アルバック）uGmni-200E（ドライエッチング装置）
方式	反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマ ALE 対応	プラズマベベルエッチング・ベベル成膜	導体エッチング（固体プラズマ源 DirectDrive）	プラズマエッチング（パルス RF 源・高コンダクタンスチャンバー）	パターンシェーピング（一方向の寸法変更）	容量結合プラズマエッチング（Twin Chamber）	反応性イオンエッチング（RIE）	ICP（誘導結合型プラズマ）エッチング、2 MHz 加熱 ICP 源	有磁場 ICP（ISM）・枚葉式・LL 室標準	有磁場 ICP（ISM・ISM-duo はオプション）
主要用途	STI・ソースドレイン・High-k/メタルゲート・FinFET・3D NAND	—	CFET・3D DRAM・3D NAND	先端メモリ・ファウンドリロジックの FinFET・GAA 形成	—	—	高アスペクト比エッチング・マスク／絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜	パワーデバイス・フォトニクス・無線・MEMS・先端パッケージ	—	化合物・パワーデバイス・メタル配線・強誘電体・磁性体
対象	コンダクタ（Si・ポリSi・メタルゲートなど）	—	—	コンダクタ・EUV パターニング	先端ロジックの重要パターニング層	—	絶縁膜・コンダクタ	III-V・II-VI 族、Si 系、絶縁膜、金属、圧電材料など	—	—
主な技術	Hydra（CD 均一性補正）・Corvus（ウェーハエッジのシース制御）	—	—	独自コーティング・新型静電チャック・アクティブエッジ制御	—	—	—	—	—	—
構成	—	—	—	—	—	最大 3 Twin Chamber・2 FOUP のデュアルロボット	—	—	—	1〜マルチチャンバー・アッシング室を追加可能
対応ウェハ径	—	—	—	—	—	—	300 mm	50 ～ 200 mm（300 mm へ拡張可能）	—	—
チャンバー構成	—	—	—	—	—	—	最大 6 チャンバー（水平対向設計）	シングルウェーハロードロック（LL）／カセットクラスター（CX）	—	—

1機種だけが掲載している項目（8件）

シリーズ構成	Versys Kiyo／Kiyo45／Kiyo C・E・F・G シリーズ	—	—	—	—	—	—	—	—	—
ラインアップ	—	Coronus／Coronus HP／Coronus DX	—	—	—	—	—	—	—	—
特徴	—	α カーボン膜を除去できる唯一のベベルクリーン製品	—	—	—	—	—	—	—	—
応答速度	—	—	従来のプラズマ源の 100 倍以上	—	—	—	—	—	—	—
効果	—	—	—	—	パターニング工程の簡略化	—	—	—	—	—
ウェットクリーン間隔	—	—	—	—	—	500 RF 時間以上	—	—	—	—
基板サイズ	—	—	—	—	—	—	—	—	〜Φ200 mm	—
均一性	—	—	—	—	—	—	—	—	±5% 以内（面内・面間）	—