Lam Research/ドライエッチング装置

Coronus®(ベベルエッチング・成膜)

ウェーハの端(ベベル)の不要な膜や残渣をプラズマで除去し、保護膜も成膜する Lam の製品ファミリー。

Coronusとは

Coronus は、Lam Research のプラズマによるベベル(ウェーハの端)エッチング・成膜の製品ファミリーです。工程の間にウェーハの端に残ったマスク、残渣、膜を取り除きます。これらを放置すると、はがれて素子の部分に再付着し、1 つの粒子でもチップ全体を不良にすることがあります。

逆に、ベベルに保護膜を付ける用途もあります。3D NAND のような非常に長いエッチングでは、保護膜がないと基板が大きく損傷して歩留まりが出ません。3D パッケージのウェーハ接合では、ベベルの膜がキャリアとデバイスの間を支え、端の欠けを防いで接合の品質を保ちます。

独自のプラズマ閉じ込め技術で素子の部分を守りながら処理します。α カーボン膜や炭素の多い残渣を除去できる業界唯一のベベルクリーン製品で、金属膜を取り除いてプラズマ工程でのアーク放電も防ぎます。Coronus、Coronus HP、Coronus DX があります。

主な特長

  • •ベベルの不要膜を選択除去
  • •ベベルへの保護膜成膜
  • •α カーボン膜の除去
  • •プラズマ閉じ込めで素子部を保護

主な仕様

方式プラズマベベルエッチング・ベベル成膜
ラインアップCoronus/Coronus HP/Coronus DX
特徴α カーボン膜を除去できる唯一のベベルクリーン製品

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目Lam ResearchKiyo®(コンダクタエッチング)Lam ResearchCoronus®(ベベルエッチング・成膜)Lam ResearchAkara®Applied MaterialsCentris® Sym3® Y EtchApplied MaterialsCentura™ Sculpta™ Pattern-Shaping SystemApplied MaterialsProducer® Etch東京エレクトロン(TEL)Tactras™Plasma-Therm JapanVERSALINE® ICPULVAC(アルバック)NE-550EX(ドライエッチング装置)ULVAC(アルバック)uGmni-200E(ドライエッチング装置)
方式反応性イオンエッチング(RIE)、プラズマ ALE 対応プラズマベベルエッチング・ベベル成膜導体エッチング(固体プラズマ源 DirectDrive)プラズマエッチング(パルス RF 源・高コンダクタンスチャンバー)パターンシェーピング(一方向の寸法変更)容量結合プラズマエッチング(Twin Chamber)反応性イオンエッチング(RIE)ICP(誘導結合型プラズマ)エッチング、2 MHz 加熱 ICP 源有磁場 ICP(ISM)・枚葉式・LL 室標準有磁場 ICP(ISM・ISM-duo はオプション)
主要用途STI・ソースドレイン・High-k/メタルゲート・FinFET・3D NAND—CFET・3D DRAM・3D NAND先端メモリ・ファウンドリロジックの FinFET・GAA 形成——高アスペクト比エッチング・マスク/絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜パワーデバイス・フォトニクス・無線・MEMS・先端パッケージ—化合物・パワーデバイス・メタル配線・強誘電体・磁性体
対象コンダクタ(Si・ポリSi・メタルゲートなど)——コンダクタ・EUV パターニング先端ロジックの重要パターニング層—絶縁膜・コンダクタIII-V・II-VI 族、Si 系、絶縁膜、金属、圧電材料など——
主な技術Hydra(CD 均一性補正)・Corvus(ウェーハエッジのシース制御)——独自コーティング・新型静電チャック・アクティブエッジ制御——————
構成—————最大 3 Twin Chamber・2 FOUP のデュアルロボット———1〜マルチチャンバー・アッシング室を追加可能
対応ウェハ径——————300 mm50 ~ 200 mm(300 mm へ拡張可能)——
チャンバー構成——————最大 6 チャンバー(水平対向設計)シングルウェーハ ロードロック(LL)/カセットクラスター(CX)——
1機種だけが掲載している項目(8件)
シリーズ構成Versys Kiyo/Kiyo45/Kiyo C・E・F・G シリーズ—————————
ラインアップ—Coronus/Coronus HP/Coronus DX————————
特徴—α カーボン膜を除去できる唯一のベベルクリーン製品————————
応答速度——従来のプラズマ源の 100 倍以上———————
効果————パターニング工程の簡略化—————
ウェットクリーン間隔—————500 RF 時間以上————
基板サイズ————————〜Φ200 mm—
均一性————————±5% 以内(面内・面間)—

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •エッチング後のベベル洗浄
  • •3D NAND の長時間エッチング時の保護
  • •ウェーハ接合の欠け防止

掲載カテゴリ

Coronusは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

Lam Research

エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング(ALE)技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。

Lam Research の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

ドライエッチング装置のほかの製品

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Kiyo®(コンダクタエッチング)(ドライエッチング装置)Flex®(誘電体エッチング)(酸化膜エッチャー)Versys® Metal(金属エッチャー)Sense.i®(材料別エッチャー)Selective Etch(Argos®/Prevos®/Selis®)(ドライ洗浄装置)Striker®(枚葉ALD)(ALD装置)VECTOR®(PECVD)(CVD装置)SABRE® 3D(めっき装置(電解銅めっき))Syndion®(深堀りシリコンエッチング)(CMOSイメージセンサー製造装置)SABRE®(銅 ECD)(めっき装置(電解銅めっき))EOS®(ウェット洗浄)(シングルウェハ洗浄装置)DV-Prime®/Da Vinci®(シングルウェハ洗浄装置)SP Series(SP203L/SP223/SP323)(ウェットエッチング装置)Akara®(ドライエッチング装置)Triton(枚葉めっき・ウェット処理)(ウェハレベルパッケージング)Kallisto(パネル ECD)(ウェハレベルパッケージング)Phoenix(パネル処理)(ウェハレベルパッケージング)ALTUS®(W/Mo の CVD・ALD)(CVD装置)SPEED®(HDP-CVD)(CVD装置)GAMMA®(ストリップ)(アッシング装置(レジスト灰化))SOLA®(UV 熱処理)(アニール炉)Vantex®(誘電体エッチング)(酸化膜エッチャー)Metior®(質量計測)(膜厚計測装置)Prestis™(AlScN PVD)(PVD装置)DSiE™(深堀りシリコンエッチング)(MEMS)SEMulator3D®(品質・歩留まり管理システム(YMS))Fabtex™ Yield Optimizer(品質・歩留まり管理システム(YMS))

関連用語

出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
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