Centura™ Sculpta™ Pattern-Shaping System
ウェーハ上のパターンの寸法を一方向だけ精密に変える「パターンシェーピング」装置。EUV パターニングの工程を減らす。
Centura Sculpta Pattern-Shaping Systemとは
Centura Sculpta は、Applied Materials のパターニング装置です。ウェーハ上にできたパターンの寸法を、一方向だけに精密に変える「パターンシェーピング」という新しい処理を行います。
EUV 露光で作ったパターンを狙った方向に伸ばしたり整えたりできるため、従来は露光やエッチングを何度も繰り返していた複雑なパターニングの手順を減らせます。
先端ロジックのもっとも重要なパターニング層に使うことを想定しており、性能・消費電力・面積・コストや製品化までの時間の面で利点があるとしています。
主な特長
- •一方向の寸法変更（パターンシェーピング）
- •EUV パターニングの補完
- •工程数の削減
主な仕様
| 方式 | パターンシェーピング（一方向の寸法変更） |
|---|---|
| 対象 | 先端ロジックの重要パターニング層 |
| 効果 | パターニング工程の簡略化 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Lam ResearchKiyo®（コンダクタエッチング） | Lam ResearchCoronus®（ベベルエッチング・成膜） | Lam ResearchAkara® | Applied MaterialsCentris® Sym3® Y Etch | Applied MaterialsCentura™ Sculpta™ Pattern-Shaping System | Applied MaterialsProducer® Etch | 東京エレクトロン（TEL）Tactras™ | Plasma-Therm JapanVERSALINE® ICP | ULVAC（アルバック）NE-550EX（ドライエッチング装置） | ULVAC（アルバック）uGmni-200E（ドライエッチング装置） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | 反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマ ALE 対応 | プラズマベベルエッチング・ベベル成膜 | 導体エッチング（固体プラズマ源 DirectDrive） | プラズマエッチング（パルス RF 源・高コンダクタンスチャンバー） | パターンシェーピング（一方向の寸法変更） | 容量結合プラズマエッチング（Twin Chamber） | 反応性イオンエッチング（RIE） | ICP（誘導結合型プラズマ）エッチング、2 MHz 加熱 ICP 源 | 有磁場 ICP（ISM）・枚葉式・LL 室標準 | 有磁場 ICP（ISM・ISM-duo はオプション） |
| 主要用途 | STI・ソースドレイン・High-k/メタルゲート・FinFET・3D NAND | — | CFET・3D DRAM・3D NAND | 先端メモリ・ファウンドリロジックの FinFET・GAA 形成 | — | — | 高アスペクト比エッチング・マスク／絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜 | パワーデバイス・フォトニクス・無線・MEMS・先端パッケージ | — | 化合物・パワーデバイス・メタル配線・強誘電体・磁性体 |
| 対象 | コンダクタ（Si・ポリSi・メタルゲートなど） | — | — | コンダクタ・EUV パターニング | 先端ロジックの重要パターニング層 | — | 絶縁膜・コンダクタ | III-V・II-VI 族、Si 系、絶縁膜、金属、圧電材料など | — | — |
| 主な技術 | Hydra（CD 均一性補正）・Corvus（ウェーハエッジのシース制御） | — | — | 独自コーティング・新型静電チャック・アクティブエッジ制御 | — | — | — | — | — | — |
| 構成 | — | — | — | — | — | 最大 3 Twin Chamber・2 FOUP のデュアルロボット | — | — | — | 1〜マルチチャンバー・アッシング室を追加可能 |
| 対応ウェハ径 | — | — | — | — | — | — | 300 mm | 50 ～ 200 mm（300 mm へ拡張可能） | — | — |
| チャンバー構成 | — | — | — | — | — | — | 最大 6 チャンバー（水平対向設計） | シングルウェーハ ロードロック（LL）／カセットクラスター（CX） | — | — |
1機種だけが掲載している項目（8件）
| シリーズ構成 | Versys Kiyo／Kiyo45／Kiyo C・E・F・G シリーズ | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ラインアップ | — | Coronus／Coronus HP／Coronus DX | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 特徴 | — | α カーボン膜を除去できる唯一のベベルクリーン製品 | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 応答速度 | — | — | 従来のプラズマ源の 100 倍以上 | — | — | — | — | — | — | — |
| 効果 | — | — | — | — | パターニング工程の簡略化 | — | — | — | — | — |
| ウェットクリーン間隔 | — | — | — | — | — | 500 RF 時間以上 | — | — | — | — |
| 基板サイズ | — | — | — | — | — | — | — | — | 〜Φ200 mm | — |
| 均一性 | — | — | — | — | — | — | — | — | ±5% 以内（面内・面間） | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •先端ロジックの重要パターニング層
- •EUV ダブルパターニングの置き換え
掲載カテゴリ
Centura Sculpta Pattern-Shaping Systemは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Applied Materials
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
ドライエッチング装置のほかの製品
Applied Materialsのほかの製品
Reflexion LK Prime CMP（酸化膜CMP装置）Reflexion LK CMP（金属CMP装置）Vantage Vulcan RTP（RTP（急速熱処理）装置）VIISta Trident（高電流イオン注入装置）VIISta 900XP（中電流イオン注入装置）Producer Celera PECVD（PECVD（プラズマCVD））Producer Precision APF PECVD（PECVD（プラズマCVD））Kinex™ Die-to-Wafer Hybrid Bonding System（ハイブリッドボンディング装置）Centris® Sym3® Y Etch（ドライエッチング装置）Sym3™ Z Magnum™ Etch（シリコンエッチャー）Centura® Etch（ポリシリコンエッチャー）Producer® Selectra® Etch（酸化膜エッチャー）Producer® Selectra® Mo Etch（金属エッチャー）Olympia® ALD（ALD装置）Producer® XP Precision® CVD（CVD装置）Endura® PVD（PVD装置）Centura™ Prime™ Epi（エピタキシャル成長装置）Raider® ECD（めっき装置（電解銅めっき））Centura® Tetra™ Z Photomask Etch（マスクエッチング装置）Centura® Tetra™ EUV Advanced Reticle Etch（マスクエッチング装置）Vantage® Astra™ DSA（レーザーアニール装置）VIISta® PLAD（プラズマドーピング装置）SEMVision™ H20（レビューSEM）VeritySEM® 20 CD Metrology（CD-SEM）Centura® Silvia™ Etch（TSV形成装置）VIISta® 3000XP（高エネルギーイオン注入）（CMOSイメージセンサー製造装置）VIISta® 900 3D（ホットイオン注入）（SiCパワー半導体製造装置）Mirra® Durum™ CMP（SiCパワー半導体製造装置）SmartFactory MES（生産管理システム（MES））Aera™ 6 Mask Inspection（マスク検査装置）Aeris®-G Plasma Abatement System（排ガス処理装置（アバトメント））Aeris®-S（排ガス処理装置（アバトメント））Aeris®-Si（排ガス処理装置（アバトメント））Alta® 4700DP Mask Writer（マスク描画装置（EB描画））Producer™ Avila™ 2 PECVD（TSV形成装置）Producer Precision™ Selective Nitride PECVD（PECVD（プラズマCVD））Producer® XP Precision® Pioneer® CVD（CVD装置）Sigmameltec CTS Mask Coat Series（マスクコータ／デベロッパ）Sigmameltec MRC Mask Clean Series（マスク洗浄・乾燥装置）Sigmameltec SFB Mask Bake Series（マスクコータ／デベロッパ）Sigmameltec SFD Mask Develop Series（マスクコータ／デベロッパ）iSystem® Controller（装置管理システム（EES））Axcela™ PVD（PVD装置）Centris™ Spectral™ Mo ALD（ALD装置）Centris™ Spectral™ SiN ALD（ALD装置）Centura® DPN HD（RTP（急速熱処理）装置）Centura® DXZ CVD（CVD装置）Centura® Epi 200mm（エピタキシャル成長装置）Centura® Ultima HDP CVD®（CVD装置）Centura™ Xtera™ Epi（エピタキシャル成長装置）Centura™ iSprint™ SSW ALD/CVD（CVD装置）Charger® UBM PVD（ウェハレベルパッケージング）ComPLUS™ 5P Optical Inspection（光学式ウェーハ検査装置）Endura® ALPS® PVD（PVD装置）Endura® Amber™ PVD（PVD装置）Endura® Avenir® RF PVD（PVD装置）Endura® Cirrus™ HT Co PVD（PVD装置）Endura® Cirrus™ HTX PVD（PVD装置）Endura® Clover® MRAM PVD（PVD装置）Endura® CuBS RF XT PVD（PVD装置）Endura™ CuBS Volta™ Ruthenium CVD（CVD装置）Endura® iLB™ PVD/ALD（PVD装置）Endura® Impulse™ PCRAM PVD（PVD装置）Endura® Ioniq™ W PVD（PVD装置）Endura™ Trillium™ ALD（ALD装置）Endura® Underbump Metallization PVD（ウェハレベルパッケージング）Endura® Ventura® PVD（TSV形成装置）Endura® Versa™ XLR2 W PVD（PVD装置）Endura® Volta® Cobalt CVD（CVD装置）Endura® Volta® Selective W CVD（CVD装置）Endura® Volta® W CVD（CVD装置）Enlight™ 3 Optical Inspection（光学式ウェーハ検査装置）HawkEye™ Optical Inspection（光学式ウェーハ検査装置）Mirra® CMP 200mm（酸化膜CMP装置）Nokota VMax™ 2 ECD（めっき装置（電解銅めっき））Opta™ CMP（金属CMP装置）PROVision™ 10 eBeam Metrology（CD-SEM）PROVision™ 4E eBeam Metrology（CD-SEM）Pika™ PVD（PVD装置）PrimeVision® 10 eBeam Inspection（電子線（EB）検査装置）Producer® Pyra® Anneal（アニール炉）Producer® Avila™ PECVD（TSV形成装置）Producer® BLOk™ PECVD（PECVD（プラズマCVD））Producer™ Black Diamond™ PECVD（PECVD（プラズマCVD））Producer® CVD（CVD装置）Producer® DARC® PECVD（PECVD（プラズマCVD））Producer® Etch（ドライエッチング装置）Producer® Eterna® FCVD™（CVD装置）Producer® HARP®（CVD装置）Producer® InVia® CVD（TSV形成装置）Producer® Onyx®（PECVD（プラズマCVD））Producer™ Viva™ Radical Treatment（ドライ洗浄装置）Producer® XP Precision® Draco™ CVD（CVD装置）Reveal™ Defect Analysis（故障解析装置）SEMVision™ G10 Defect Analysis（レビューSEM）SEMVision™ G7 Defect Analysis（レビューSEM）SEMVision™ G7AP Defect Analysis（レビューSEM）SEMVision® G9 Defect Analysis（レビューSEM）Topaz™ PVD（ウェハレベルパッケージング）VIISta® HCP（高電流イオン注入装置）Vantage® RadOx™ RTP（RTP（急速熱処理）装置）Vantage® Radiance® Plus RTP（RTP（急速熱処理）装置）Vera® Optical Inspection（光学式ウェーハ検査装置）VeritySEM® 6C CD Metrology（CD-SEM）VeritySEM® 6D CD Metrology（CD-SEM）VeritySEM™ AP CD Metrology（CD-SEM）
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-07