NE-550EX（ドライエッチング装置）

有磁場 ICP（ISM）方式の研究開発向けドライエッチング装置。量産機 uGmni-200E と同じチャンバーを持つ。

NE-550EXとは

NE-550EX は、アルバックの有磁場 ICP（ISM：ICP with Static Magnetic field）方式のドライエッチング装置です。枚葉式でロードロック室を標準装備し、小型で低価格の研究開発向けモデルです。

磁場のアシストでほかの ICP 方式より低圧・低電子温度・高密度のプラズマを作り、イオン性からラジカル性まで幅広いエッチングを制御できます。RF 投入窓へのデポ付着を防ぐ「スター電極」と加熱機能で、再現性と安定性を重視しています。

量産ライン向けの uGmni-200E と同じチャンバーのため、開発ツールとして多様なプロセスに対応できます。LED・LD・VCSEL・高周波・パワーなどの化合物材料、電極やメタル配線、強誘電体・貴金属・磁性膜などの難エッチング材料の加工に使われます。

主な特長

•有磁場 ICP（ISM）
•スター電極で付着防止
•量産機と同じチャンバー

主な仕様

方式	有磁場 ICP（ISM）・枚葉式・LL 室標準
基板サイズ	〜Φ200 mm
均一性	±5% 以内（面内・面間）

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Lam ResearchKiyo®（コンダクタエッチング）	Lam ResearchCoronus®（ベベルエッチング・成膜）	Lam ResearchAkara®	Applied MaterialsCentris® Sym3® Y Etch	Applied MaterialsCentura™ Sculpta™ Pattern-Shaping System	Applied MaterialsProducer® Etch	東京エレクトロン（TEL）Tactras™	Plasma-Therm JapanVERSALINE® ICP	ULVAC（アルバック）NE-550EX（ドライエッチング装置）	ULVAC（アルバック）uGmni-200E（ドライエッチング装置）
方式	反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマ ALE 対応	プラズマベベルエッチング・ベベル成膜	導体エッチング（固体プラズマ源 DirectDrive）	プラズマエッチング（パルス RF 源・高コンダクタンスチャンバー）	パターンシェーピング（一方向の寸法変更）	容量結合プラズマエッチング（Twin Chamber）	反応性イオンエッチング（RIE）	ICP（誘導結合型プラズマ）エッチング、2 MHz 加熱 ICP 源	有磁場 ICP（ISM）・枚葉式・LL 室標準	有磁場 ICP（ISM・ISM-duo はオプション）
主要用途	STI・ソースドレイン・High-k/メタルゲート・FinFET・3D NAND	—	CFET・3D DRAM・3D NAND	先端メモリ・ファウンドリロジックの FinFET・GAA 形成	—	—	高アスペクト比エッチング・マスク／絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜	パワーデバイス・フォトニクス・無線・MEMS・先端パッケージ	—	化合物・パワーデバイス・メタル配線・強誘電体・磁性体
対象	コンダクタ（Si・ポリSi・メタルゲートなど）	—	—	コンダクタ・EUV パターニング	先端ロジックの重要パターニング層	—	絶縁膜・コンダクタ	III-V・II-VI 族、Si 系、絶縁膜、金属、圧電材料など	—	—
主な技術	Hydra（CD 均一性補正）・Corvus（ウェーハエッジのシース制御）	—	—	独自コーティング・新型静電チャック・アクティブエッジ制御	—	—	—	—	—	—
構成	—	—	—	—	—	最大 3 Twin Chamber・2 FOUP のデュアルロボット	—	—	—	1〜マルチチャンバー・アッシング室を追加可能
対応ウェハ径	—	—	—	—	—	—	300 mm	50 ～ 200 mm（300 mm へ拡張可能）	—	—
チャンバー構成	—	—	—	—	—	—	最大 6 チャンバー（水平対向設計）	シングルウェーハロードロック（LL）／カセットクラスター（CX）	—	—

1機種だけが掲載している項目（8件）

シリーズ構成	Versys Kiyo／Kiyo45／Kiyo C・E・F・G シリーズ	—	—	—	—	—	—	—	—	—
ラインアップ	—	Coronus／Coronus HP／Coronus DX	—	—	—	—	—	—	—	—
特徴	—	α カーボン膜を除去できる唯一のベベルクリーン製品	—	—	—	—	—	—	—	—
応答速度	—	—	従来のプラズマ源の 100 倍以上	—	—	—	—	—	—	—
効果	—	—	—	—	パターニング工程の簡略化	—	—	—	—	—
ウェットクリーン間隔	—	—	—	—	—	500 RF 時間以上	—	—	—	—
基板サイズ	—	—	—	—	—	—	—	—	〜Φ200 mm	—
均一性	—	—	—	—	—	—	—	—	±5% 以内（面内・面間）	—