Tactras™
東京エレクトロンの 300mm 対応プラズマエッチング装置。2006年の発売以来、チャンバーの水平対向設計で省スペースと高い搬送速度を両立してきた。
Tactrasとは
Tactras は、東京エレクトロン(TEL)の 300mm ウェーハ対応プラズマエッチング装置です。チャンバーを水平に向かい合わせて配置する省スペース設計のパイオニアで、2006年の発売以来改良を重ね、搬送速度とフットプリントで世界最高水準を達成しています。
デバイス構造の3次元化でエッチングへの要求が高まるなか、Tactras は用途ごとにカスタマイズした仕様を用意しています。高アスペクト比エッチング、マスク&絶縁膜エッチング、BEOL 絶縁膜エッチングの3系統で、ベース設計を共有しているため改造で用途を切り替えられます。
最大 6 つのエッチングチャンバーを搭載でき、面内均一性の確保、ウェーハ間ばらつきの抑制、高選択比と高エッチングレートの両立を図っています。装置間・チャンバー間の機差を小さくするロバスト設計、パーティクル低減、自動化による省人化などの運用ノウハウも組み込まれています。
主な特長
- •チャンバー水平対向設計による省スペース・高速搬送
- •最大 6 チャンバー搭載
- •高アスペクト比/マスク&絶縁膜/BEOL 絶縁膜の用途別仕様(改造で切替可能)
- •装置間・チャンバー間の機差を抑えるロバスト設計
主な仕様
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
|---|---|
| 方式 | 反応性イオンエッチング(RIE) |
| チャンバー構成 | 最大 6 チャンバー(水平対向設計) |
| 対象 | 絶縁膜・コンダクタ |
| 主要用途 | 高アスペクト比エッチング・マスク/絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Lam ResearchKiyo®(コンダクタエッチング) | Applied MaterialsCentris® Sym3® Y Etch | 東京エレクトロン(TEL)Tactras™ | Plasma-Therm JapanVERSALINE® ICP |
|---|---|---|---|---|
| 方式 | 反応性イオンエッチング(RIE)、プラズマ ALE 対応 | プラズマエッチング(パルス RF 源・高コンダクタンスチャンバー) | 反応性イオンエッチング(RIE) | ICP(誘導結合型プラズマ)エッチング、2 MHz 加熱 ICP 源 |
| 対象 | コンダクタ(Si・ポリSi・メタルゲートなど) | コンダクタ・EUV パターニング | 絶縁膜・コンダクタ | III-V・II-VI 族、Si 系、絶縁膜、金属、圧電材料など |
| 主要用途 | STI・ソースドレイン・High-k/メタルゲート・FinFET・3D NAND | 先端メモリ・ファウンドリロジックの FinFET・GAA 形成 | 高アスペクト比エッチング・マスク/絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜 | パワーデバイス・フォトニクス・無線・MEMS・先端パッケージ |
| 主な技術 | Hydra(CD 均一性補正)・Corvus(ウェーハエッジのシース制御) | 独自コーティング・新型静電チャック・アクティブエッジ制御 | — | — |
| 対応ウェハ径 | — | — | 300 mm | 50 ~ 200 mm(300 mm へ拡張可能) |
| チャンバー構成 | — | — | 最大 6 チャンバー(水平対向設計) | シングルウェーハ ロードロック(LL)/カセットクラスター(CX) |
1機種だけが掲載している項目(1件)
| シリーズ構成 | Versys Kiyo/Kiyo45/Kiyo C・E・F・G シリーズ | — | — | — |
|---|
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •3D NAND などの高アスペクト比エッチング
- •ハードマスク・絶縁膜のエッチング
- •BEOL 配線層の絶縁膜エッチング
掲載カテゴリ
Tactrasは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
ドライエッチング装置(ドライエッチャー)は、プラズマや反応性ガスを用いてシリコン・酸化膜・金属薄膜などを気相中で精密除去する半導体前工程装置の一覧です。
メーカー 8 社シリコンエッチャーシリコンエッチャーは、単結晶シリコン・エピタキシャルシリコンをプラズマや反応性ガスで選択的に除去する装置で、STI(浅いトレンチ分離)・深いトレンチキャパシタ・FinFETフィン形成・SOI加工など多岐にわたる工程に使用されます。
メーカー 3 社ポリシリコンエッチャーポリシリコンエッチャーは、ゲート電極・ハードマスク・電極材として広く使われるポリシリコン膜を塩素系・臭素系プラズマで精密に加工する装置です。
メーカー 3 社酸化膜エッチャーオキサイドエッチャーは、シリコン酸化膜(SiO₂)・高誘電率酸化膜(HfO₂など)・BPSG・TEOS酸化膜といった絶縁膜をプラズマで精密に除去する専用装置です。
メーカー 3 社金属エッチャーメタルエッチャーは、アルミニウム・タングステン・チタン・コバルト・ルテニウムなどの金属配線・バリアメタル層をプラズマで精密に除去する専用ドライエッチング装置です。
メーカー 3 社MEMSMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)製造装置は、マイクロメートルスケールの機械構造と電子回路を同一基板上に作製する微小機械デバイス製造に特化した装置群です。
メーカー 5 社よくある質問
Tactras と Episode UL の違いは?
メーカー
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。