Akara®

固体プラズマ源 DirectDrive を初めて使った Lam の導体エッチング装置。CFET や 3D DRAM の形成を狙う。

Akaraとは

Akara は、Lam Research の導体エッチング装置です。CFET のような新しいロジックトランジスタや、4F² や 3D DRAM などの新しいメモリ構造では、現在の最先端を超えるエッチング性能が求められます。

DirectDrive という固体プラズマ源を初めて採用し、複雑な 3D 構造を作るのに必要なプロセスの変化に、従来のプラズマ源より 100 倍以上速く応答します。独自のイオンエネルギー制御とプラズマのパルス化を組み合わせ、Å レベルの CD 均一性とウェーハ間の再現性を実現します。

量産で 3 万を超えるチャンバーが稼働している Kiyo の経験をもとに開発され、Kiyo に続く導体エッチングの新しい世代と位置づけられています。新しいプラズマ源と効率の高いエッチングで、チップ製造のエネルギー消費も減らします。Sense.i プラットフォームに搭載されます。

主な特長

•固体プラズマ源 DirectDrive
•応答速度が 100 倍以上
•Å レベルの CD 均一性
•Sense.i プラットフォーム

主な仕様

方式	導体エッチング（固体プラズマ源 DirectDrive）
応答速度	従来のプラズマ源の 100 倍以上
主要用途	CFET・3D DRAM・3D NAND

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Lam ResearchKiyo®（コンダクタエッチング）	Lam ResearchCoronus®（ベベルエッチング・成膜）	Lam ResearchAkara®	Applied MaterialsCentris® Sym3® Y Etch	Applied MaterialsCentura™ Sculpta™ Pattern-Shaping System	Applied MaterialsProducer® Etch	東京エレクトロン（TEL）Tactras™	Plasma-Therm JapanVERSALINE® ICP	ULVAC（アルバック）NE-550EX（ドライエッチング装置）	ULVAC（アルバック）uGmni-200E（ドライエッチング装置）
方式	反応性イオンエッチング（RIE）、プラズマ ALE 対応	プラズマベベルエッチング・ベベル成膜	導体エッチング（固体プラズマ源 DirectDrive）	プラズマエッチング（パルス RF 源・高コンダクタンスチャンバー）	パターンシェーピング（一方向の寸法変更）	容量結合プラズマエッチング（Twin Chamber）	反応性イオンエッチング（RIE）	ICP（誘導結合型プラズマ）エッチング、2 MHz 加熱 ICP 源	有磁場 ICP（ISM）・枚葉式・LL 室標準	有磁場 ICP（ISM・ISM-duo はオプション）
主要用途	STI・ソースドレイン・High-k/メタルゲート・FinFET・3D NAND	—	CFET・3D DRAM・3D NAND	先端メモリ・ファウンドリロジックの FinFET・GAA 形成	—	—	高アスペクト比エッチング・マスク／絶縁膜エッチング・BEOL 絶縁膜	パワーデバイス・フォトニクス・無線・MEMS・先端パッケージ	—	化合物・パワーデバイス・メタル配線・強誘電体・磁性体
対象	コンダクタ（Si・ポリSi・メタルゲートなど）	—	—	コンダクタ・EUV パターニング	先端ロジックの重要パターニング層	—	絶縁膜・コンダクタ	III-V・II-VI 族、Si 系、絶縁膜、金属、圧電材料など	—	—
主な技術	Hydra（CD 均一性補正）・Corvus（ウェーハエッジのシース制御）	—	—	独自コーティング・新型静電チャック・アクティブエッジ制御	—	—	—	—	—	—
構成	—	—	—	—	—	最大 3 Twin Chamber・2 FOUP のデュアルロボット	—	—	—	1〜マルチチャンバー・アッシング室を追加可能
対応ウェハ径	—	—	—	—	—	—	300 mm	50 ～ 200 mm（300 mm へ拡張可能）	—	—
チャンバー構成	—	—	—	—	—	—	最大 6 チャンバー（水平対向設計）	シングルウェーハロードロック（LL）／カセットクラスター（CX）	—	—

1機種だけが掲載している項目（8件）

シリーズ構成	Versys Kiyo／Kiyo45／Kiyo C・E・F・G シリーズ	—	—	—	—	—	—	—	—	—
ラインアップ	—	Coronus／Coronus HP／Coronus DX	—	—	—	—	—	—	—	—
特徴	—	α カーボン膜を除去できる唯一のベベルクリーン製品	—	—	—	—	—	—	—	—
応答速度	—	—	従来のプラズマ源の 100 倍以上	—	—	—	—	—	—	—
効果	—	—	—	—	パターニング工程の簡略化	—	—	—	—	—
ウェットクリーン間隔	—	—	—	—	—	500 RF 時間以上	—	—	—	—
基板サイズ	—	—	—	—	—	—	—	—	〜Φ200 mm	—
均一性	—	—	—	—	—	—	—	—	±5% 以内（面内・面間）	—