Magnum E2

LPDDR6・DDR6・GDDR7・NAND など次世代の高速 DRAM・フラッシュ向けのメモリテストシステム。

Magnum E2とは

Magnum E2 は、Teradyne の次世代の高速メモリテストシステムです。LPDDR6、DDR6、GDDR7、NAND フラッシュなどの先端の DRAM とフラッシュのインターフェースに対応します。

広く導入されている Magnum EPIC プラットフォームの基礎である実績のある Near-DUT Test（NDT）アーキテクチャをもとに作られています。デバイスの近くに置いたデジタル計測器で優れたシグナル・インテグリティを得て、速度での試験の性能を高め、歩留まりを最大にします。

生産用とエンジニアリング用の構成があり、認定から量産まで共通のハードウェアとソフトウェアで対応します。NRZ、PAM3、PAM4 の高速信号に対応し、柔軟なアルゴリズミックパターン発生器で、テスターを交換せずに現在と今後の DRAM・NAND の規格に対応します。ロジック試験の機能も内蔵しています。

主な特長

•Near-DUT Test アーキテクチャ
•NRZ・PAM3・PAM4 対応
•メモリとロジックを 1 台で試験

主な仕様

対象	LPDDR6・DDR6・GDDR7・NAND フラッシュ
アーキテクチャ	Near-DUT Test（NDT）
信号方式	NRZ・PAM3・PAM4

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	アドバンテストT5503HS2	アドバンテストT5851／T5851ES	アドバンテストT5801	アドバンテストT5835	アドバンテストT5830	アドバンテストT5833	アドバンテストT5511	アドバンテストT5221	アドバンテストT5230	アドバンテストH5620	Teradyne（テラダイン）Magnum EPIC	Teradyne（テラダイン）Magnum V	Teradyne（テラダイン）Magnum 2	Teradyne（テラダイン）Magnum 7	Teradyne（テラダイン）Magnum VUy	Teradyne（テラダイン）Magnum 7H	Teradyne（テラダイン）Magnum E2
対象	—	—	GDDR7・LPDDR6・DDR6・MRDIMM・CAMM	DRAM・NAND フラッシュ（パッケージ・高速ウェーハ試験）	NOR・NAND フラッシュ	DRAM・NAND・MCP	GDDR5・DDR4 などの DRAM	—	NAND・不揮発メモリ・ウェーハレベルバーンイン	—	—	フラッシュ・DRAM・LPDDR・MCP	NOR・NAND・SRAM・DRAM・MEMS・MCU	—	UFS 4.1・uMCP・PCIe Gen5・ONFI・Toggle・e.MMC など	—	LPDDR6・DDR6・GDDR7・NAND フラッシュ
試験速度	—	—	PAM3 で 36Gbps・NRZ で 18Gbps	最大 5.4Gbps	パッケージ試験で最高 800Mbps	最高 2.4Gbps（KGD 試験も対応）	8Gbps（全テストピン）	25MHz／50Mbps	—	—	—	—	—	—	—	—	—
同時測定	—	—	—	768 個	ウェーハ 2,304 個・パッケージ 768 個	ウェーハ 2,048 個（従来比 1.5 倍）・パッケージ 512 個	—	テストステーション 1 台あたり最大 1,152 個	1,536 個	18,432 個（48 スロット × 384）	—	—	—	—	—	—	—
構成	—	量産モデル／エンジニアリングモデル	—	—	—	—	—	最大 12 台のテストステーションを独立制御	シングル／マルチウェーハプローバに接続可能	—	最大 128 MTU（1 MTU あたり 144 高速ピン）	—	—	—	Universal Protocol Board（UPB・UPBx・UPBy）	—	—
対応デバイス	DDR5・LPDDR5・DDR4・LPDDR4・HBM	UFS 4.0・PCIe Gen5 embedded NAND	—	—	—	—	—	—	—	—	LPDDR5・DDR5・GDDR6	—	—	—	—	—	—
チャンネル数	16,256	—	—	—	—	—	—	—	—	—	18,400 ch 超（7 Gbps／ch）	—	—	—	—	—	—
特徴	DQS-DQタイミング自動調整・ALPG搭載	—	—	—	—	—	—	—	—	—	Near-DUT-Test 技術	—	—	—	—	—	—
主要用途	—	システムレベルテスト・信頼性／特性評価	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	モバイル・車載向け NAND のプロトコル試験	—	—
チャンネル	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	最大 20,480 デジタルチャンネル	—	最大 18,432 I/O（5.28Gbps）	—	—	—
速度	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	1,600Mbps（1.6Gbps SuperMux）	—	—	—	最大 4.5Gbps（HBM3/3E・HBM4/4E）	—
並列数	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	NAND 最大 80 個・NOR 最大 20 個・シリアルフラッシュ最大 160 個	最大 1,024 デバイス	—	—	—

1機種だけが掲載している項目（15件）

最大評価速度	9 Gbps	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
タイミング確度	±45 ps	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
高速モジュール	—	T5851-STM32G（最大 32 Gbps）	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
測定方式	—	テスタ・パー・DUT	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
構造	—	—	フロント・エンド・ユニット（FEU）	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
タイミング精度	—	—	—	—	—	—	±40ps	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
周波数	—	—	—	—	—	—	—	—	—	100MHz／200Mbps（ライセンスで 200MHz／400Mbps）	—	—	—	—	—	—	—
ラインアップ	—	—	—	—	—	—	—	—	—	H5620（量産）・H5620ES（エンジニアリング）	—	—	—	—	—	—	—
電源チャンネル	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	2,000 ch	—	—	—	—	—	—
機能	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	800Mbps のフルスピード ECR・APG＋LVM	—	—	—	—
電源	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	最大 4,096 DPS・4,096 高電圧ピン	—	—	—
ピン数	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	最大 9,216 デジタルピン・2,560 電源ピン	—
工程	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	ベースダイのウェーハ試験・個片化前後の HBM 試験	—
アーキテクチャ	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	Near-DUT Test（NDT）
信号方式	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	NRZ・PAM3・PAM4