T5801

GDDR7・LPDDR6・DDR6 などの次世代超高速 DRAM を試験できるメモリテストシステム。PAM3 で 36Gbps に対応する。

T5801とは

T5801 は、アドバンテストのメモリテストシステムです。AI、HPC、エッジ向けの需要拡大でメモリはますます複雑で高速になっており、T5801 は GDDR7、LPDDR6、DDR6 などの超高速メモリの最新のテスト技術に対応した先進的なプラットフォームです。

3 段階の電圧で信号を表す PAM3 方式で 36Gbps、2 段階の NRZ 方式で 18Gbps まで対応します。フロント・エンド・ユニット（FEU）構造で、業界最高レベルのシグナル・インテグリティを提供します。

次世代 DRAM（LPDDR6、GDDR7、DDR6）やメモリモジュール規格（MRDIMM、CAMM）のテストに必要な機能をハードウェアで実現しています。柔軟なテストセルで、エンジニアリングから量産まで対応します。

主な特長

•PAM3 36Gbps・NRZ 18Gbps
•FEU 構造で高いシグナル・インテグリティ
•次世代 DRAM 機能をハードウェアで実現

主な仕様

試験速度	PAM3 で 36Gbps・NRZ で 18Gbps
対象	GDDR7・LPDDR6・DDR6・MRDIMM・CAMM
構造	フロント・エンド・ユニット（FEU）

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	アドバンテストT5503HS2	アドバンテストT5851／T5851ES	アドバンテストT5801	アドバンテストT5835	アドバンテストT5830	アドバンテストT5833	アドバンテストT5511	アドバンテストT5221	アドバンテストT5230	アドバンテストH5620	Teradyne（テラダイン）Magnum EPIC	Teradyne（テラダイン）Magnum V	Teradyne（テラダイン）Magnum 2	Teradyne（テラダイン）Magnum 7	Teradyne（テラダイン）Magnum VUy	Teradyne（テラダイン）Magnum 7H	Teradyne（テラダイン）Magnum E2
対象	—	—	GDDR7・LPDDR6・DDR6・MRDIMM・CAMM	DRAM・NAND フラッシュ（パッケージ・高速ウェーハ試験）	NOR・NAND フラッシュ	DRAM・NAND・MCP	GDDR5・DDR4 などの DRAM	—	NAND・不揮発メモリ・ウェーハレベルバーンイン	—	—	フラッシュ・DRAM・LPDDR・MCP	NOR・NAND・SRAM・DRAM・MEMS・MCU	—	UFS 4.1・uMCP・PCIe Gen5・ONFI・Toggle・e.MMC など	—	LPDDR6・DDR6・GDDR7・NAND フラッシュ
試験速度	—	—	PAM3 で 36Gbps・NRZ で 18Gbps	最大 5.4Gbps	パッケージ試験で最高 800Mbps	最高 2.4Gbps（KGD 試験も対応）	8Gbps（全テストピン）	25MHz／50Mbps	—	—	—	—	—	—	—	—	—
同時測定	—	—	—	768 個	ウェーハ 2,304 個・パッケージ 768 個	ウェーハ 2,048 個（従来比 1.5 倍）・パッケージ 512 個	—	テストステーション 1 台あたり最大 1,152 個	1,536 個	18,432 個（48 スロット × 384）	—	—	—	—	—	—	—
構成	—	量産モデル／エンジニアリングモデル	—	—	—	—	—	最大 12 台のテストステーションを独立制御	シングル／マルチウェーハプローバに接続可能	—	最大 128 MTU（1 MTU あたり 144 高速ピン）	—	—	—	Universal Protocol Board（UPB・UPBx・UPBy）	—	—
対応デバイス	DDR5・LPDDR5・DDR4・LPDDR4・HBM	UFS 4.0・PCIe Gen5 embedded NAND	—	—	—	—	—	—	—	—	LPDDR5・DDR5・GDDR6	—	—	—	—	—	—
チャンネル数	16,256	—	—	—	—	—	—	—	—	—	18,400 ch 超（7 Gbps／ch）	—	—	—	—	—	—
特徴	DQS-DQタイミング自動調整・ALPG搭載	—	—	—	—	—	—	—	—	—	Near-DUT-Test 技術	—	—	—	—	—	—
主要用途	—	システムレベルテスト・信頼性／特性評価	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	モバイル・車載向け NAND のプロトコル試験	—	—
チャンネル	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	最大 20,480 デジタルチャンネル	—	最大 18,432 I/O（5.28Gbps）	—	—	—
速度	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	1,600Mbps（1.6Gbps SuperMux）	—	—	—	最大 4.5Gbps（HBM3/3E・HBM4/4E）	—
並列数	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	NAND 最大 80 個・NOR 最大 20 個・シリアルフラッシュ最大 160 個	最大 1,024 デバイス	—	—	—

1機種だけが掲載している項目（15件）

最大評価速度	9 Gbps	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
タイミング確度	±45 ps	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
高速モジュール	—	T5851-STM32G（最大 32 Gbps）	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
測定方式	—	テスタ・パー・DUT	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
構造	—	—	フロント・エンド・ユニット（FEU）	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
タイミング精度	—	—	—	—	—	—	±40ps	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
周波数	—	—	—	—	—	—	—	—	—	100MHz／200Mbps（ライセンスで 200MHz／400Mbps）	—	—	—	—	—	—	—
ラインアップ	—	—	—	—	—	—	—	—	—	H5620（量産）・H5620ES（エンジニアリング）	—	—	—	—	—	—	—
電源チャンネル	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	2,000 ch	—	—	—	—	—	—
機能	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	800Mbps のフルスピード ECR・APG＋LVM	—	—	—	—
電源	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	最大 4,096 DPS・4,096 高電圧ピン	—	—	—
ピン数	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	最大 9,216 デジタルピン・2,560 電源ピン	—
工程	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	ベースダイのウェーハ試験・個片化前後の HBM 試験	—
アーキテクチャ	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	Near-DUT Test（NDT）
信号方式	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	NRZ・PAM3・PAM4