H5620とは
H5620 は、アドバンテストの先端 DRAM と LPDDR 向けのメモリテストシステムです。バーンイン機能とメモリセルのテスト機能を兼ね備えたハイブリッドのソリューションです。
5G の普及でデータセンターとモバイルを中心に DRAM の需要が急拡大する一方、メモリの販売価格は下がる傾向にあり、生産量を増やしながらテストコストを下げることが求められています。
量産向けの H5620 は、100MHz の周波数と最大 200Mbps のデータレートで 18,000 個以上のデバイスを同時に試験でき、工場の自動化にも対応します。エンジニアリング向けの H5620ES は、温度制御を除くデバイスプログラムの評価を行い、生産装置の占有を減らします。OS は FutureSuite です。
主な特長
- •バーンインとセルテストを統合
- •18,432 個同時測定
- •量産用/エンジニアリング用の 2 機種
主な仕様
| 同時測定 | 18,432 個(48 スロット × 384) |
|---|---|
| 周波数 | 100MHz/200Mbps(ライセンスで 200MHz/400Mbps) |
| ラインアップ | H5620(量産)・H5620ES(エンジニアリング) |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | アドバンテストT5503HS2 | アドバンテストT5851/T5851ES | アドバンテストT5801 | アドバンテストT5835 | アドバンテストT5830 | アドバンテストT5833 | アドバンテストT5511 | アドバンテストT5221 | アドバンテストT5230 | アドバンテストH5620 | Teradyne(テラダイン)Magnum EPIC | Teradyne(テラダイン)Magnum V | Teradyne(テラダイン)Magnum 2 | Teradyne(テラダイン)Magnum 7 | Teradyne(テラダイン)Magnum VUy | Teradyne(テラダイン)Magnum 7H | Teradyne(テラダイン)Magnum E2 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 対象 | — | — | GDDR7・LPDDR6・DDR6・MRDIMM・CAMM | DRAM・NAND フラッシュ(パッケージ・高速ウェーハ試験) | NOR・NAND フラッシュ | DRAM・NAND・MCP | GDDR5・DDR4 などの DRAM | — | NAND・不揮発メモリ・ウェーハレベルバーンイン | — | — | フラッシュ・DRAM・LPDDR・MCP | NOR・NAND・SRAM・DRAM・MEMS・MCU | — | UFS 4.1・uMCP・PCIe Gen5・ONFI・Toggle・e.MMC など | — | LPDDR6・DDR6・GDDR7・NAND フラッシュ |
| 試験速度 | — | — | PAM3 で 36Gbps・NRZ で 18Gbps | 最大 5.4Gbps | パッケージ試験で最高 800Mbps | 最高 2.4Gbps(KGD 試験も対応) | 8Gbps(全テストピン) | 25MHz/50Mbps | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 同時測定 | — | — | — | 768 個 | ウェーハ 2,304 個・パッケージ 768 個 | ウェーハ 2,048 個(従来比 1.5 倍)・パッケージ 512 個 | — | テストステーション 1 台あたり最大 1,152 個 | 1,536 個 | 18,432 個(48 スロット × 384) | — | — | — | — | — | — | — |
| 構成 | — | 量産モデル/エンジニアリングモデル | — | — | — | — | — | 最大 12 台のテストステーションを独立制御 | シングル/マルチウェーハプローバに接続可能 | — | 最大 128 MTU(1 MTU あたり 144 高速ピン) | — | — | — | Universal Protocol Board(UPB・UPBx・UPBy) | — | — |
| 対応デバイス | DDR5・LPDDR5・DDR4・LPDDR4・HBM | UFS 4.0・PCIe Gen5 embedded NAND | — | — | — | — | — | — | — | — | LPDDR5・DDR5・GDDR6 | — | — | — | — | — | — |
| チャンネル数 | 16,256 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 18,400 ch 超(7 Gbps/ch) | — | — | — | — | — | — |
| 特徴 | DQS-DQタイミング自動調整・ALPG搭載 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | Near-DUT-Test 技術 | — | — | — | — | — | — |
| 主要用途 | — | システムレベルテスト・信頼性/特性評価 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | モバイル・車載向け NAND のプロトコル試験 | — | — |
| チャンネル | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 最大 20,480 デジタルチャンネル | — | 最大 18,432 I/O(5.28Gbps) | — | — | — |
| 速度 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 1,600Mbps(1.6Gbps SuperMux) | — | — | — | 最大 4.5Gbps(HBM3/3E・HBM4/4E) | — |
| 並列数 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | NAND 最大 80 個・NOR 最大 20 個・シリアルフラッシュ最大 160 個 | 最大 1,024 デバイス | — | — | — |
1機種だけが掲載している項目(15件)
| 最大評価速度 | 9 Gbps | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| タイミング確度 | ±45 ps | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 高速モジュール | — | T5851-STM32G(最大 32 Gbps) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 測定方式 | — | テスタ・パー・DUT | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 構造 | — | — | フロント・エンド・ユニット(FEU) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| タイミング精度 | — | — | — | — | — | — | ±40ps | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 周波数 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 100MHz/200Mbps(ライセンスで 200MHz/400Mbps) | — | — | — | — | — | — | — |
| ラインアップ | — | — | — | — | — | — | — | — | — | H5620(量産)・H5620ES(エンジニアリング) | — | — | — | — | — | — | — |
| 電源チャンネル | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 2,000 ch | — | — | — | — | — | — |
| 機能 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 800Mbps のフルスピード ECR・APG+LVM | — | — | — | — |
| 電源 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 最大 4,096 DPS・4,096 高電圧ピン | — | — | — |
| ピン数 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | 最大 9,216 デジタルピン・2,560 電源ピン | — |
| 工程 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ベースダイのウェーハ試験・個片化前後の HBM 試験 | — |
| アーキテクチャ | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | Near-DUT Test(NDT) |
| 信号方式 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | NRZ・PAM3・PAM4 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •DRAM・LPDDR のバーンイン・セルテスト
掲載カテゴリ
H5620は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
メモリテストシステムのほかの製品
T5503HS2(アドバンテスト)T5851/T5851ES(アドバンテスト)Magnum EPIC(Teradyne(テラダイン))T5801(アドバンテスト)T5835(アドバンテスト)T5830(アドバンテスト)T5833(アドバンテスト)T5511(アドバンテスト)T5221(アドバンテスト)T5230(アドバンテスト)Magnum V(Teradyne(テラダイン))Magnum 2(Teradyne(テラダイン))Magnum 7(Teradyne(テラダイン))Magnum VUy(Teradyne(テラダイン))Magnum 7H(Teradyne(テラダイン))Magnum E2(Teradyne(テラダイン))
アドバンテストのほかの製品
V93000 EXA Scale(ロジックテストシステム)T5503HS2(メモリテストシステム)T5851/T5851ES(メモリテストシステム)MASK MVM-SEM® E3650(マスク寸法・平面度測定装置)T2000(最終テスト装置)M6242(テストハンドラ)(テストハンドラ)V93000 パワー・アナログソリューション(アナログ・リニアテストシステム)T5801(メモリテストシステム)T5835(メモリテストシステム)T5830(メモリテストシステム)T5833(メモリテストシステム)T5511(メモリテストシステム)T5221(メモリテストシステム)T5230(メモリテストシステム)B6700 シリーズ(バーンインシステム)T6391(混在型テストシステム)EVA100(アナログ・リニアテストシステム)EXAVIS(パワー半導体)MT100/MT200(パワー半導体テストシステム)(パワー半導体)M5241(テストハンドラ)(テストハンドラ)M4841(テストハンドラ)(テストハンドラ)M4872(テストハンドラ)(テストハンドラ)M4173(テストハンドラ)(テストハンドラ)HA7200(温度・圧力ユニット)(MEMS)HA7300(Stimulus Test Cell)(MEMS)HA1200(ダイレベルプローバ)(ウェハプローバー)7038(システムレベルテスト)(最終テスト装置)MASK MVM-SEM® E3640(マスク寸法・平面度測定装置)MASK CD-SEM E3660(マスク寸法・平面度測定装置)MASK DR-SEM E5620(マスク検査装置)
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07