Producer HARP（High Aspect Ratio Process）是應用材料不使用電漿的熱 CVD 氧化膜設備。因應先進邏輯 FinFET 與記憶體中，STI 與 PMD 嚴苛的填充要求。
以專利的臭氧／TEOS 化學，沉積可產生應變的薄膜。藉此可在不使製程複雜化的情況下，大幅提升平面型邏輯電晶體的驅動電流與記憶體的保持時間。可與應力氮化膜、SiGe 磊晶等其他應變技術疊加效果。
由於不使用電漿，沒有電漿造成的損傷，元件可靠度優異。在 Producer 平台上同時處理最多 6 片。