VeritySEM® 20 CD Metrology
先端ロジック・メモリ向けの Applied Materials の CD-SEM。低ランディングエネルギーで EUV・High-NA EUV の薄いレジストを傷めずに計測する。
VeritySEM 20 CD Metrologyとは
VeritySEM 20 は、Applied Materials の CD-SEM 計測プラットフォームで、先端ロジックとメモリの重要寸法を測るために設計されています。CD-SEM は「ファブの物差し」と呼ばれ、露光後のレジストパターンの線幅などを測って、そのデータで露光装置とプロセスを校正します。
EUV、とくに High-NA EUV ではレジストが薄くなり、寸法計測が難しくなります。VeritySEM 20 は業界トップクラスのサブナノメートルの電子ビーム分解能で、ウェーハ全面の数百点の CD を素早く測り、EUV スキャナーの校正を速めます。低いランディングエネルギーで薄く繊細なレジストへの影響を抑え、パターンを損なわずに計測します。
GAA トランジスタ、DRAM、3D NAND の計測にも強化が加えられています。多方向スキャン方式で、EUV／High-NA EUV の極薄レジストのエッジ定義を安定させ、エッジの対称性を改善しました。用途に応じてスループットは 20〜50% 向上し、2D 構造のマッチングは最大 25% 改善しています。
主な特長
- •サブナノメートルの電子ビーム分解能
- •低ランディングエネルギーで薄い EUV レジストを保護
- •多方向スキャンによるエッジ定義の安定化
- •スループット 20〜50% 向上、2D マッチング最大 25% 改善
主な仕様
| 測定方式 | CD-SEM（サブナノメートル分解能） |
|---|---|
| 対象世代 | EUV・High-NA EUV、GAA・DRAM・3D NAND |
| 特徴 | 多方向スキャン、スループット 20〜50% 向上、2D 構造のマッチング最大 25% 改善 |
| 主要用途 | EUV スキャナーの校正・先端デバイスの寸法計測 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 日立ハイテクGT2000（高精度電子線計測システム） | 日立ハイテクCG7300（高分解能FEB測長装置） | Applied MaterialsVeritySEM® 20 CD Metrology |
|---|---|---|---|
| 測定方式 | CD-SEM | CD-SEM | CD-SEM（サブナノメートル分解能） |
| 対象世代 | High-NA EUV 世代 | EUV 量産世代 | EUV・High-NA EUV、GAA・DRAM・3D NAND |
| 特徴 | 超低加速電圧 100V・3D 構造向け反射電子検出系 | 装置間マッチング約 10% 向上・高速スキャンの帯電制御 | 多方向スキャン、スループット 20〜50% 向上、2D 構造のマッチング最大 25% 改善 |
| 主要用途 | 先端ロジック・メモリの寸法計測 | 量産ラインの CD・CDU 計測 | EUV スキャナーの校正・先端デバイスの寸法計測 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •EUV・High-NA EUV スキャナーの校正
- •GAA・DRAM・3D NAND の寸法計測
掲載カテゴリ
VeritySEM 20 CD Metrologyは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。