最後更新:2026年10月23日ALD 設備

NT333的特點與規格

東京威力科創(TEL)・ALD 設備

以遮蔽氣體區隔原料氣體的吸附空間與反應空間,每旋轉1圈即完成1個循環的東京威力科創半批次式成膜設備。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

NT333 是東京威力科創支援 300mm 的半批次式成膜設備。採用以遮蔽氣體區隔原料氣體吸附空間與反應空間的獨家機構,承載晶圓的平台每旋轉1圈,即完成 ALD 的1個循環。

每個腔體處理 6 片,整個系統以 2 腔體同時處理 12 片。反應器有熱型與支援電漿型,熱 ALD 氧化膜的實績最高達 760°C。對象膜層為 SiO₂、SiN、High-k 氧化膜,支援 Si 與 SOI 基板。

特點包括高階梯覆蓋率、以低溫域改質步驟取得高品質膜層、高產能、膜應力控制、降低電漿損傷,以及原子級的膜厚控制。定位為介於單片式與批次式之間的設備。

主要規格

適用晶圓尺寸300 mm(6 片/腔體,2 腔體共 12 片)
方式半批次式 ALD(熱/電漿)
對象膜層SiO₂・SiN・High-k 氧化膜
特點高階梯覆蓋率・低溫改質步驟・應力控制

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

以遮蔽氣體區隔吸附空間與反應空間的獨家機構(旋轉1圈完成1循環)
6 片/腔體 × 2 腔體=12 片同時處理
熱型/支援電漿的反應器
低溫改質步驟・應力控制・高階梯覆蓋率

主要用途

  • SiO₂・SiN・High-k 氧化膜的 ALD
  • Si・SOI 基板的先進元件

製造商與在台據點

在台據點
  • 台灣東京威力科創(新竹):台灣子公司(1996 年成立)。設有訓練中心,並規劃擴建無塵室
  • 台南營運中心(台南):動工時預計 2024 年下半年完工,樓地板面積約 3.5 萬平方公尺,可容納近千名員工,負責零組件處理、技術服務與維修

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資料來源

  1. 東京威力科創(TEL)官方產品頁面:NT333