NT333™（セミバッチ式ALD）

原料ガスの吸着空間と反応空間を遮蔽ガスで分け、1回転で1サイクルを完結させる東京エレクトロンのセミバッチ式成膜装置。

NT333とは

NT333 は、東京エレクトロンの 300mm 対応セミバッチ式成膜装置です。原料ガスの吸着空間と反応空間を遮蔽ガスで分ける独自の機構を採用し、ウェーハを載せたテーブルが1回転するごとに ALD の1サイクルが完結します。

1チャンバーに 6 枚、システム全体で 2 チャンバー 12 枚を同時に処理します。リアクターは熱型とプラズマ対応型があり、サーマル ALD 酸化膜では最高 760°C の実績があります。対象は SiO₂、SiN、High-k 酸化膜で、Si と SOI 基板に対応します。

高いステップカバレッジ、低温域での改質ステップによる高品質な膜、高スループット、膜応力の制御、プラズマダメージの低減、原子レベルの膜厚制御を特長としています。枚葉式とバッチ式の中間に位置づけられる装置です。

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsOlympia® ALD	東京エレクトロン（TEL）TELINDY PLUS™ IRad™（バッチ式ALD）	東京エレクトロン（TEL）NT333™（セミバッチ式ALD）	Kokusai Electric（国際電気）TSURUGI-C²®（ミニバッチ成膜装置）	Lam ResearchStriker®（枚葉ALD）
方式	空間分離型 ALD（ウェーハが隔離ゾーンを回転）	バッチ式（最大 125 枚）、プラズマ援用	セミバッチ式 ALD（熱／プラズマ）	ミニバッチ式（サーマル）	枚葉 ALD（マルチステーション）
対応ウェハ径	300 mm	300 mm	300 mm（6 枚／チャンバー、2 チャンバーで 12 枚）	300 mm	—
対象膜	絶縁膜	極低温 ALD-SiN・ALD-SiO₂	SiO₂・SiN・High-k 酸化膜	—	絶縁膜（ドーピング・in-situ マストリム対応）
特徴	前駆体を完全に分離、時間分離型 ALD 比で生産性 50% 以上向上	in-situ ドライガスクリーニング、プロセス温度 RT〜800°C	高ステップカバレッジ・低温改質ステップ・応力制御	容積最小化の反応炉でローディング効果を低減・膜厚均一性を向上	—
主要用途	DRAM・3D NAND・FinFET の低温 ALD	—	—	—	パターニング用スペーサー・コンフォーマルライナー・ギャップフィル
関連機種	—	NT333™（セミバッチ式 ALD）	—	Advanced TSURUGI／Advanced TSURUGI Plus-Ⅲ（最上位）	—