JX金属（JX Advanced Metals）

銅箔・スパッタリングターゲット・電子材料の専業メーカー（ENEOSグループ）。半導体向けでは銅・アルミニウム・チタン・ITO等のスパッタリングターゲット、高純度金属材料を提供。2024年「JX Advanced Metals」に社名変更。

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当サイトでの位置づけ

Semirai の材料カテゴリでは、銅・ITO 等スパッタリングターゲットの国内最大手として、配線・電極形成に使う高純度金属材料を供給する立場にあります。

企業の強み

銅・アルミ・ITO等スパッタリングターゲットで国内最大手

電解銅箔でプリント基板・リチウム電池向けに世界トップシェア

高純度金属精製技術の長年の蓄積

主要製品・ソリューション

スパッタリングターゲット

•Cu・Al・Ti・ITO各種ターゲット
•ルテニウムターゲット（次世代配線用）

電解銅箔

•HTE箔（高周波基板用）

関連装置カテゴリ

半導体材料（スパッタターゲット）

半導体材料は、ウェハ・フォトレジスト・特殊ガス・CMPスラリー・封止樹脂・リードフレーム・ボンディングワイヤなど、半導体製造の各工程で使用される多様な材料群の総称です。

メーカー 10 社 PVD装置

PVD装置（Physical Vapor Deposition：物理気相成長）は、真空中でターゲット材料を蒸発・スパッタリングしてウェハ表面に堆積させる成膜装置です。

メーカー 7 社

半導体製造装置メーカーの世界シェア＆カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、JX金属（JX Advanced Metals）を含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

PVDとは→銅配線（ダマシン法）とは→バリアメタルとは→ルテニウム配線とは→

同じトピックの用語

化合物基板（SiC・GaN・サファイア）のトピックで関連する用語です。

PVT法（昇華法）とは→SiCウェハ（炭化ケイ素基板）とは→GaN-on-Si（シリコン上GaN）とは→サファイア基板とは→エピタキシャルウェハ（エピウェハ）とは→レーザースライシングとは→化合物半導体とは→ワイドバンドギャップ半導体とは→

同じトピックの企業

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比較・違いを学ぶ

GaN-on-SiとGaN-on-SiCの違い

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SiCとGaN パワー半導体の違い

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