CS5000（高分解能 FEB 測長装置）

3・4・6・8 インチのウェーハに対応する測長 SEM。SiC・GaN・ガラスなどさまざまな材質を扱える。

CS5000とは

CS5000 は、日立ハイテクの高分解能 FEB 測長装置（CD-SEM）です。3・4・6・8 インチのウェーハに対応する測長 SEM で、同社が培った最先端の計測技術を搭載し、二次電子分解能と計測の再現精度を従来機より高めています。

計測のオペレーションを自動化して既存ラインの生産性を高めます。簡単な切り替えで最大 3 種類のウェーハサイズを自動搬送でき、SiC、GaN、ガラスなどの絶縁体ウェーハなど、さまざまな材質に対応します。新しい電子光学条件で、従来機では測れなかった絶縁体ウェーハも測れるようになりました。

既存装置との置き換えや併用を考えた装置寸法と操作画面を持ち、ウェーハ搬送の大幅な改良で連続測定時の処理能力も向上しています。多品種量産の半導体デバイスの生産に向いています。

主な特長

•3〜8 インチのマルチウェーハサイズ
•SiC・GaN・ガラスに対応
•二次電子像シャープネス 3.8nm 以下
•計測の自動化

主な仕様

二次電子像シャープネス	3.8nm 以下（加速電圧 800V）
対応ウェハ径	75（条件付き）・100・150・200 mm
装置寸法	1,180 × 2,520 × 1,990 mm

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	日立ハイテクGT2000（高精度電子線計測システム）	日立ハイテクCG7300（高分解能FEB測長装置）	日立ハイテクCV7300（高加速 CD-SEM）	日立ハイテクCS5000（高分解能 FEB 測長装置）	Applied MaterialsVeritySEM® 20 CD Metrology	Applied MaterialsPROVision™ 10 eBeam Metrology	Applied MaterialsPROVision™ 4E eBeam Metrology	Applied MaterialsVeritySEM® 6C CD Metrology	Applied MaterialsVeritySEM® 6D CD Metrology	Applied MaterialsVeritySEM™ AP CD Metrology
方式	—	—	高加速 CD-SEM（加速電圧 60kV）	—	—	電子ビーム計測（層透過イメージング）	設計ベースの電子ビーム計測（輪郭解析）	CD-SEM	CD-SEM	電子ビーム計測（CD-SEM）
特徴	超低加速電圧 100V・3D 構造向け反射電子検出系	装置間マッチング約 10% 向上・高速スキャンの帯電制御	—	—	多方向スキャン、スループット 20〜50% 向上、2D 構造のマッチング最大 25% 改善	—	ダイ内・ダイ間のばらつきを大量サンプリング	—	—	反り・厚み・材料の異なる基板に対応
主要用途	先端ロジック・メモリの寸法計測	量産ラインの CD・CDU 計測	3D NAND の深穴・深溝計測、DRAM・ロジックの重ね合わせ計測	—	EUV スキャナーの校正・先端デバイスの寸法計測	—	—	—	光インターコネクト・AR/VR・MEMS・CIS・FOWLP	—
対象	—	—	—	—	—	2nm ロジック・GAA・次世代 DRAM・HBM・裏面電源	成熟ノード〜先端ロジック・メモリ、ICAPS	SiC・GaN・GaAs・GaN-on-SiC など化合物半導体	ガラスなどの誘電体ウェーハ	2.5D／3D パッケージ・TSV・ハイブリッド接合
測定方式	CD-SEM	CD-SEM	—	—	CD-SEM（サブナノメートル分解能）	—	—	—	—	—
対象世代	High-NA EUV 世代	EUV 量産世代	—	—	EUV・High-NA EUV、GAA・DRAM・3D NAND	—	—	—	—	—

1機種だけが掲載している項目（6件）

スループット	—	—	従来比 20% 向上	—	—	—	—	—	—	—
二次電子像シャープネス	—	—	—	3.8nm 以下（加速電圧 800V）	—	—	—	—	—	—
対応ウェハ径	—	—	—	75（条件付き）・100・150・200 mm	—	—	—	—	—	—
装置寸法	—	—	—	1,180 × 2,520 × 1,990 mm	—	—	—	—	—	—
分解能	—	—	—	—	—	サブナノメートル	—	—	—	—
パターン寸法	—	—	—	—	—	—	—	0.1µm〜100µm 超	—	—