VeritySEM® 6D CD Metrology

ガラスなどの誘電体ウェーハ向けの CD-SEM。帯電しやすい誘電体の構造や膜を計測する。

VeritySEM 6D CD Metrologyとは

VeritySEM 6D は、Applied Materials の誘電体ウェーハ向けの CD-SEM です。誘電体は電気をよく絶縁し、エネルギーをためる材料で、キャパシタやメモリセルに使われます。

なかでもガラスは電気的な損失が少なく、熱的に安定で、硬く透明なため、光信号を伝える光インターコネクトに使われるようになっています。AR／VR、MEMS、CMOS イメージセンサー、メモリ・ロジック、RF・パワー、ファンアウト WLP などに広がっています。

誘電体の構造や膜は製造中に帯電しやすく、シリコンとは違う扱いが必要です。径・厚さ・不透明度・導電性もさまざまな誘電体ウェーハの量産での工程管理に向けた CD-SEM です。

主な特長

•誘電体ウェーハ向け CD-SEM
•帯電しやすい構造に対応

主な仕様

方式	CD-SEM
対象	ガラスなどの誘電体ウェーハ
主要用途	光インターコネクト・AR/VR・MEMS・CIS・FOWLP

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	日立ハイテクGT2000（高精度電子線計測システム）	日立ハイテクCG7300（高分解能FEB測長装置）	日立ハイテクCV7300（高加速 CD-SEM）	日立ハイテクCS5000（高分解能 FEB 測長装置）	Applied MaterialsVeritySEM® 20 CD Metrology	Applied MaterialsPROVision™ 10 eBeam Metrology	Applied MaterialsPROVision™ 4E eBeam Metrology	Applied MaterialsVeritySEM® 6C CD Metrology	Applied MaterialsVeritySEM® 6D CD Metrology	Applied MaterialsVeritySEM™ AP CD Metrology
方式	—	—	高加速 CD-SEM（加速電圧 60kV）	—	—	電子ビーム計測（層透過イメージング）	設計ベースの電子ビーム計測（輪郭解析）	CD-SEM	CD-SEM	電子ビーム計測（CD-SEM）
特徴	超低加速電圧 100V・3D 構造向け反射電子検出系	装置間マッチング約 10% 向上・高速スキャンの帯電制御	—	—	多方向スキャン、スループット 20〜50% 向上、2D 構造のマッチング最大 25% 改善	—	ダイ内・ダイ間のばらつきを大量サンプリング	—	—	反り・厚み・材料の異なる基板に対応
主要用途	先端ロジック・メモリの寸法計測	量産ラインの CD・CDU 計測	3D NAND の深穴・深溝計測、DRAM・ロジックの重ね合わせ計測	—	EUV スキャナーの校正・先端デバイスの寸法計測	—	—	—	光インターコネクト・AR/VR・MEMS・CIS・FOWLP	—
対象	—	—	—	—	—	2nm ロジック・GAA・次世代 DRAM・HBM・裏面電源	成熟ノード〜先端ロジック・メモリ、ICAPS	SiC・GaN・GaAs・GaN-on-SiC など化合物半導体	ガラスなどの誘電体ウェーハ	2.5D／3D パッケージ・TSV・ハイブリッド接合
測定方式	CD-SEM	CD-SEM	—	—	CD-SEM（サブナノメートル分解能）	—	—	—	—	—
対象世代	High-NA EUV 世代	EUV 量産世代	—	—	EUV・High-NA EUV、GAA・DRAM・3D NAND	—	—	—	—	—

1機種だけが掲載している項目（6件）

スループット	—	—	従来比 20% 向上	—	—	—	—	—	—	—
二次電子像シャープネス	—	—	—	3.8nm 以下（加速電圧 800V）	—	—	—	—	—	—
対応ウェハ径	—	—	—	75（条件付き）・100・150・200 mm	—	—	—	—	—	—
装置寸法	—	—	—	1,180 × 2,520 × 1,990 mm	—	—	—	—	—	—
分解能	—	—	—	—	—	サブナノメートル	—	—	—	—
パターン寸法	—	—	—	—	—	—	—	0.1µm〜100µm 超	—	—