日立ハイテク/故障解析装置

ナノ・プローバ® NP8000

SEM 観察しながら数十 nm 径のプローブを素子に当て、トランジスタの電気特性を測る微小デバイス特性評価装置。5nm 以降のノードを想定している。

ナノ・プローバ NP8000とは

NP8000 は、日立ハイテクの SEM ベースのナノプロービングシステムです。5nm ノード以降の解析ニーズに応えるために設計され、ナノスケールのデバイスの電気特性、EBAC、EBIC、パルス IV、温度依存性を評価できます。

新しい電子光学系と新しいショットキー電子銃により、100V 未満の超低加速電圧でも鮮明な像が得られ、観察時の試料ダメージを減らします。プローブは 8 本で、プローブ電流を高めて EBAC(電子ビーム吸収電流)像の画質を改善しました。電圧を印加して欠陥を可視化する DI-EBAC も強化され、以前は難しかった低抵抗の欠陥も見つけやすくなっています。

温度制御ステージで温度依存の特性評価ができ、上面と側面を同時に見る光学カメラで粗いプロービングを補助します。プローブとは独立に試料を動かすサブステージ、プローブ交換用のロードロック室も備え、抵抗性のゲート電極不良を診断するパルス IV 測定(特注)にも対応します。

主な特長

  • •5nm ノード以降に対応、プローブ 8 本
  • •100V 未満の超低加速電圧で鮮明な像
  • •EBAC・DI-EBAC・EBIC・パルス IV
  • •温度制御ステージ・プローブ交換ロードロック

主な仕様

解析手法ナノプロービング(電気特性・EBAC・EBIC・パルス IV)
対象トランジスタ・配線(5 nm ノード以降)
特徴ショットキー電子銃+減速法で低加速電圧の高分解能観察
主要用途不良トランジスタの電気的特定

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目浜松ホトニクスPHEMOS-X エミッション顕微鏡 C15765-01日立ハイテクナノ・プローバ® NP8000サーモフィッシャーサイエンティフィックHelios 5 EXL DualBeam
解析手法発光解析・発熱解析・IR-OBIRCH(非破壊)ナノプロービング(電気特性・EBAC・EBIC・パルス IV)FIB-SEM による断面観察・TEM 試料作製
対象ウェーハ・パッケージ品トランジスタ・配線(5 nm ノード以降)300 mm フルウェーハ
主要用途故障箇所の特定(位置の絞り込み)不良トランジスタの電気的特定故障箇所の物理解析
1機種だけが掲載している項目(2件)
関連機種Dual PHEMOS-X C16506-01(表裏両面から解析)——
特徴—ショットキー電子銃+減速法で低加速電圧の高分解能観察—

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •先端デバイスのトランジスタ電気特性評価
  • •低抵抗欠陥など故障箇所の特定

掲載カテゴリ

ナノ・プローバ NP8000は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

日立ハイテク

世界をリードする計測・検査技術のパイオニア。電子顕微鏡技術を核とした「見る・測る・分析する」の総合力で、2nm/3nm世代の先端半導体製造をサポート。

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06
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