巨觀檢測設備是什麼

巨觀檢測設備是以低倍率一次拍攝晶圓全面，高速檢測光阻塗佈不良、顯影不均、刮傷、崩邊（chipping）、晶圓邊緣異常等較大外觀不良的設備。相對於以數十 nm 微小缺陷為對象的微觀檢測，巨觀檢測負責以批次為單位及早發現製程異常。多半配置在微影製程之後，有助於即時偵測設備故障並減少重工。

重點整理

以低倍率一次拍攝晶圓全面，高速檢測較大的外觀不良

主要對象為塗佈不良、顯影不均、刮傷、邊緣缺角

與檢查微小缺陷的微觀檢測角色不同，負責及早發現製程異常

配置在微影之後，用於即時偵測設備故障

晶體缺陷檢測設備是檢測矽或 SiC 基板與磊晶層中 COP、差排、堆疊缺陷、BPD（基底面差排）等晶體起因缺陷的設備。

缺陷檢測設備（Defect Inspection）是以光學或電子束自動檢測晶圓表面與內部的圖案缺陷、微粒、刮傷等的系統。

電子束（EB）檢測設備是利用電子束以高解析度檢測晶圓上圖案缺陷與電性缺陷的設備。

光罩檢測設備（Mask Inspection）是檢測微影所用光罩（photomask、reticle）缺陷與汙染的系統。

光學式晶圓檢測設備是利用雷射或白光，高速檢測晶圓表面異物、刮傷、晶體缺陷等的設備。

異物・微粒檢測設備是以雷射散射光檢測附著在晶圓表面的微粒與刮傷，並將尺寸與座標輸出成分布圖（map）的設備。

缺陷覆檢 SEM（Review SEM）是自動移動到缺陷檢測設備輸出的缺陷座標，以高解析度 SEM 影像逐一分類缺陷的設備。

膜厚量測設備（Thickness Metrology）是以非破壞方式精密量測晶圓上薄膜厚度與光學特性的系統。

晶圓檢測設備（Wafer Inspection）是自動檢測晶圓表面微粒、缺陷與圖案異常的系統。