晶體缺陷檢測設備是什麼

晶體缺陷檢測設備是檢測矽或 SiC 基板與磊晶層中 COP、差排、堆疊缺陷、BPD（基底面差排）等晶體起因缺陷的設備。有光散射方式、光致發光（PL）方式、X 射線形貌術（X-ray topography）等；在 SiC 功率元件中，BPD 會造成雙極劣化，因此要求嚴格的檢測。異物檢測以表面附著物為對象，而本設備以晶體內部缺陷為對象，在基板廠商的品質保證製程中扮演核心角色。

重點整理

以 COP、差排、堆疊缺陷、BPD 等晶體起因缺陷為對象
有光散射方式、光致發光方式、X 射線形貌術
SiC 的 BPD 會造成雙極劣化，因此檢測要求嚴格
與檢查表面附著物的異物檢測在對象與原理上都不同

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