階高・表面粗糙度量測設備是什麼

CD-SEM（Critical Dimension Scanning Electron Microscope，關鍵尺寸掃描式電子顯微鏡）是以奈米級精度，非破壞性量測微影與蝕刻後圖案…

異物・污染分析設備是針對檢測設備發現的異物及晶圓表面污染，鑑定其元素組成與來源的一系列設備。

離子佈植劑量量測設備是驗證離子佈植製程中打入基板的摻雜物量（佈植劑量）及其面內均勻性的量測設備。

橢圓偏光儀是量測試片表面反射光的偏振狀態變化（振幅比 Ψ 與相位差 Δ），以非接觸方式求得薄膜膜厚與光學常數（折射率 n・消光係數 k）的量測設備。

膜成分分析設備是以非破壞方式評估沉積薄膜的成分比、膜厚與雜質濃度的一系列設備。

平坦度・晶圓厚度量測設備是量測晶圓厚度、TTV（厚度變異）、翹曲（Warp／Bow）、奈米形貌等形狀參數的設備。

載子生命期量測設備是量測矽基板中產生的少數載子從生成到復合消失為止平均時間（載子生命期）的設備。

光學關鍵尺寸量測設備（OCD／散射量測）是對週期性圖案照射光，將所得反射光譜與光學模型計算出的理論光譜比對，以非破壞方式求得線寬、高度、側壁角等剖面形狀的量測設備。

疊對量測設備是在多層微影製程中，以光學方式高速、精密量測前一層圖案與目前曝光層之間位置偏移（疊對誤差）的設備。

片電阻量測設備是量測擴散層或金屬薄膜單位面積電阻（Ω/sq），以評估摻雜濃度與膜厚面內均勻性的設備。