Endura Volta W CVD 是應用材料的鎢（W）CVD 設備。鎢因電阻低且可共形填充，被廣泛用於邏輯接觸窗、MOL 與金屬閘極的填充。
隨著微縮，阻障層與成核層所佔比例增加，導體體積減少，使接觸電阻上升。Volta W CVD 改良了腔體，以特殊化學沉積鎢-碳（W-C）膜。
此膜同時發揮襯層與成核層的作用，與介電膜強力附著，並可防止後續塊材沉積的氟擴散。電阻率比 TiN 等標準襯層低 70% 以上。
Endura Volta W CVD的特點與規格
應用材料（Applied Materials）・CVD 設備
以 W-碳膜兼作襯層與成核層的鎢 CVD。電阻率比標準 TiN 襯層降低 70% 以上。
產品概要
主要規格
| 方式 | CVD（W-碳膜＋塊材 W） |
|---|---|
| 效果 | 襯層電阻率比 TiN 降低 70% 以上 |
| 主要用途 | 邏輯接觸窗・MOL・金屬閘極填充 |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
以 W-碳膜兼作襯層與成核層
電阻率比 TiN 降低 70% 以上
防止氟擴散
主要用途
- 邏輯接觸窗
- MOL・金屬閘極填充
製造商與在台據點
在台據點
- 新竹據點（新竹科學園區）：1996 年進駐，技術研發中心
- 台南據點（台南）：製造中心與顯示器設備製造研發中心
- 林口・台中據點（林口・台中）：營運據點
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