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Applied Materials／TSV形成装置

Centura® Silvia™ Etch

TSV 用に設計されたエッチング装置。シリコンと酸化膜を同じチャンバーでエッチングでき、ビアファースト・ビアラストの両方に対応する。

Centura Silvia Etchとは

Centura Silvia Etch は、TSV（シリコン貫通電極）向けの深掘りシリコンエッチングを行う Applied Materials の装置です。TSV は積層したチップやウェーハを縦方向につなぐ配線で、ワイヤボンディングやフリップチップの 3D 方式を超える機能と性能を可能にします。

Silvia は、チップやウェーハ間の縦の接続をつくるのに必要な難しい深掘りシリコンエッチング専用に設計されており、従来手法が抱えていたプロファイル制御と高いエッチングレートのトレードオフを解消しています。高密度プラズマ源により、あらゆるウェーハレベルパッケージ用途で最も高いシリコン・酸化膜のエッチングレートを得ます。

TSV の製造工程の約 15% はエッチングが占めます。Silvia の高いスループットと、消耗品を使わないプロセスキットによる所有コストの大幅な低減は、TSV 技術の導入コスト全体を下げることに大きく貢献します。

主な特長

  • •TSV 向けの深掘りシリコンエッチング
  • •高密度プラズマ源で高いシリコン・酸化膜エッチングレート
  • •プロファイル制御と高レートの両立
  • •消耗品フリーのプロセスキットで低 CoO

主な仕様

エッチング方式シリコン／酸化膜エッチング（同一チャンバー）
対応ウェハ径300 mm
主要用途ビアファースト／ビアラストの TSV 形成

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

TSV エッチング：3機種の比較

項目Lam ResearchSyndion® 製品ファミリーApplied MaterialsCentura® Silvia™ EtchSPPテクノロジーズASE-Pegasus
エッチング方式シリコン深掘り（高速ガス切替・TCP プラズマ源）シリコン／酸化膜エッチング（同一チャンバー）シリコン深掘り（ボッシュプロセス）
主要用途積層メモリ・3D IC の TSV 形成、CISビアファースト／ビアラストの TSV 形成MEMS・半導体のシリコン深掘り（TSV 含む）
対応ウェハ径300 mm（2300 Syndion）300 mm—

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •TSV（シリコン貫通電極）の形成
  • •ウェーハレベルパッケージ・3D 積層

掲載カテゴリ

Centura Silvia Etchは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

TSV形成装置

TSV（Through Silicon Via）形成装置とは、シリコンウェハを垂直に貫通する微細な孔（ビア）を形成し、銅（Cu）を埋め込んで積層チップ間を直接電気接続する先端パッケージング技術の装置群です。

メーカー 5 社

メーカー

Applied Materials

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

Applied Materials の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

TSV形成装置のほかの製品

UFP600AS型（荏原製作所）

Applied Materialsのほかの製品

Reflexion LK Prime CMP（酸化膜CMP装置）Reflexion LK CMP（金属CMP装置）Vantage Vulcan RTP（RTP（急速熱処理）装置）VIISta Trident（高電流イオン注入装置）VIISta 900XP（中電流イオン注入装置）Producer Celera PECVD（PECVD（プラズマCVD））Producer Precision APF PECVD（PECVD（プラズマCVD））Kinex™ Die-to-Wafer Hybrid Bonding System（ハイブリッドボンディング装置）Centris® Sym3® Y Etch（ドライエッチング装置）Sym3™ Z Magnum™ Etch（シリコンエッチャー）Centura® Etch（ポリシリコンエッチャー）Producer® Selectra® Etch（酸化膜エッチャー）Producer® Selectra® Mo Etch（金属エッチャー）Olympia® ALD（ALD装置）Producer® XP Precision® CVD（CVD装置）Endura® PVD（PVD装置）Centura™ Prime™ Epi（エピタキシャル成長装置）Raider® ECD（めっき装置（電解銅めっき））Centura® Tetra™ Z Photomask Etch（マスクエッチング装置）Centura® Tetra™ EUV Advanced Reticle Etch（マスクエッチング装置）Vantage® Astra™ DSA（レーザーアニール装置）VIISta® PLAD（プラズマドーピング装置）SEMVision™ H20（レビューSEM）VeritySEM® 20 CD Metrology（CD-SEM）VIISta® 3000XP（高エネルギーイオン注入）（CMOSイメージセンサー製造装置）VIISta® 900 3D（ホットイオン注入）（SiCパワー半導体製造装置）Mirra® Durum™ CMP（SiCパワー半導体製造装置）SmartFactory MES（生産管理システム（MES））

関連用語

TSV（シリコン貫通ビア）とは→深堀り反応性イオンエッチングとは→ドライエッチングとは→HBM（高帯域幅メモリ）とは→
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-06
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