Endura Avenir RF PVD 是應用材料的 RF 方式 PVD 設備。以高壓電容耦合電漿提高金屬的離子化密度，在高深寬比 Ni(Pt) 接觸窗的金屬矽化物形成中取得良好的底部覆蓋率。
以低功率 RF 電漿抑制損傷，同時使電漿密度均勻。在 High-k／金屬閘極方面，同時支援先閘極（gate-first）與後閘極（gate-last）：先閘極可沉積低於 10Å 的均勻連續薄膜，後閘極則可進行底部覆蓋率佳、突出少的沉積。
能以無電荷陷阱的介面沉積極薄的覆蓋層與金屬閘極膜，並可細緻調整 TiN 膜的組成以控制臨界電壓。支援 22nm 以後的邏輯。