Endura iLB PVD/ALD 是應用材料的襯墊層／阻障層一體化（iLB）沉積系統。微縮使接觸窗變細時，襯墊層與阻障層會占去鎢插塞體積的大部分，使接觸電阻上升。
以 Centinel 腔體的自由基輔助 ALD（RE-ALD），用超過 90% 的覆蓋率沉積極薄、均勻且高品質的阻障膜。這是能將既有 iLB PVD／CVD 設備延伸至 32nm 以後、具成本效益的方法。
可沉積較少有電漿損傷或 High-k 材料特性變化疑慮的 TiN 膜，使鎢的體積最大化以降低接觸電阻。也用於 32nm 以下的邏輯、4X nm 的嵌入式 DRAM、DRAM 電極與埋入式字元線。