Endura Impulse PVD 是應用材料面向相變記憶體（PCRAM）與電阻式記憶體（ReRAM）量產的整合式 PVD 系統。兩者都是填補資料處理用 DRAM 與儲存用 NAND 之間價格・效能缺口的新型非揮發性記憶體。
在最多 7 個沉積腔之外，組合預清洗・退火・除氣腔。以多項經過驗證的 PVD 技術，精密沉積能以低功耗加快讀取的化合物材料。
以專用的 Impulse GST PVD 腔體，沉積在非晶態與結晶態之間切換而改變電阻的相變材料。在 AI 使資料量與功耗增加的情況下，有助於實現高速、省電的記憶體。