Endura ALPS（Advanced Low-Pressure Source）PVD 是應用材料用於形成金屬矽化物的 PVD 設備。在高深寬比的閘極與接觸窗沉積鈷（Co）或鎳（Ni）。
ALPS Co 將鈷擴展至 90nm 以下節點，在無電漿損傷下取得良好的底部覆蓋率。面向 65nm・55nm 以下邏輯與記憶體的 ALPS Ni，可形成矽消耗量減半的穩定 NiSi，介面平滑且電阻也較低。
以單腔 Siconi 預清洗，在鎳沉積前以高選擇比（SiO₂:Si 超過 20:1）清潔矽表面。不需要傳統 HF 清洗那樣嚴格的等待時間管理。