Producer Precision™ Selective Nitride PECVD

トレンチの底から選択的に窒化膜を積むボトムアップ成膜技術。GAA トランジスタで STI 酸化膜の後退を防ぐ。

Producer Precision Selective Nitride PECVDとは

Producer Precision Selective Nitride は、Applied Materials が開発した選択的・ボトムアップの窒化膜成膜技術です。GAA（ゲートオールアラウンド）トランジスタで課題になる、STI（素子分離）まわりの問題に対応します。

微細化が進むと、後の工程の強いエッチングで STI の酸化膜が削られて低くなり（リセス）、寄生容量が増えてデバイス性能が落ちます。この技術はトレンチの底に窒化膜を堆積させて STI の保護層とし、STI の高さを保って寄生容量を減らします。

ボトムアップで埋め込む成膜方式のため、さまざまな埋め込み（ギャップフィル）用途にも応用できます。

主な特長

•トレンチ底からの選択的成膜
•STI の後退を防ぐ保護層
•ギャップフィルにも応用可能

主な仕様

方式	選択的・ボトムアップの窒化膜 PECVD
対象構造	GAA トランジスタの STI
効果	STI 高さの維持・寄生容量の低減

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsProducer Celera PECVD	Applied MaterialsProducer Precision APF PECVD	Applied MaterialsProducer Precision™ Selective Nitride PECVD	Applied MaterialsProducer® BLOk™ PECVD	Applied MaterialsProducer™ Black Diamond™ PECVD	Applied MaterialsProducer® DARC® PECVD	Applied MaterialsProducer® Onyx®	Lam ResearchVECTOR®（PECVD）	KLASPTS Delta™ PECVD	ASMインターナショナルXP8 DCM™ PECVD	ASMインターナショナルXP8 Vertos™	ULVAC（アルバック）CC-200（PE-CVD 装置）	ULVAC（アルバック）CME（PE-CVD 装置）	ULVAC（アルバック）uGmni-200C（PE-CVD 装置）
方式	—	—	選択的・ボトムアップの窒化膜 PECVD	PECVD（Twin Chamber）	PECVD（Low-k 絶縁膜）	PECVD（誘電体反射防止膜）	Low-k 膜の膜処理（Producer プラットフォーム）	—	PECVD（Delta fxP クラスター）	PECVD（独立チャンバー）	PECVD（流動性カーボン）	—	—	—
主要用途	先端ノードの歪みエンジニアリング	DRAM・NAND・ロジックのパターニング	—	—	—	—	—	層間絶縁膜・ハードマスクの成膜	RF・パワー・フォトニクス・MEMS	Low-k／超 Low-k 層間絶縁膜・パッシベーション・エッチストップ	ロジック・メモリのギャップフィル、ダイポール・仕事関数メタルのパターニング	—	—	—
特徴	—	剥離可能なハードマスク膜	—	成膜前にその場で銅酸化物を除去	—	—	—	—	—	リモートプラズマクリーニング・ホットウォール反応炉	ボイド・シームのない埋め込みと自己平坦化	—	—	—
膜種	—	—	—	超 Low-k の銅バリア・エッチストップ膜	緻密 Low-k（最新世代）・多孔質 Low-k（Black Diamond II：k≒2.55）	—	—	—	—	—	—	SiO₂・SiNx・SiON・a-Si（SiH₄ 系）・TEOS SiO₂	—	SiO₂・SiNx・SiON・a-Si・TEOS SiO₂
プラズマ	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	27.12 MHz 高密度プラズマ	27.12 MHz 高密度プラズマ	27.12 MHz 高密度プラズマ
プラットフォーム	Applied Producer	Applied Producer	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
対応膜種	高応力シリコン窒化膜（圧縮／引張）	アモルファスカーボンハードマスク（APF）	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
効果	—	—	STI 高さの維持・寄生容量の低減	—	—	—	絶縁性の改善・機械強度の向上	—	—	—	—	—	—	—
対象世代	—	—	—	—	2nm 以下	14nm 以下	—	—	—	—	—	—	—	—
クリーニング	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	CF₄＋O₂ プラズマ	NF₃＋Ar プラズマ	—

1機種だけが掲載している項目（11件）

制御項目	膜応力のチューニング	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
対象構造	—	—	GAA トランジスタの STI	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—
組み合わせ	—	—	—	—	—	APF（Advanced Patterning Film）ハードマスク	—	—	—	—	—	—	—	—
対象	—	—	—	—	—	—	多孔質・超 Low-k 絶縁膜	—	—	—	—	—	—	—
構成	—	—	—	—	—	—	—	マルチステーション（300 mm 機は 4 ステーション）	—	—	—	—	—	—
200 mm 機	—	—	—	—	—	—	—	Sequel（6 ステーション）	—	—	—	—	—	—
関連機種	—	—	—	—	—	—	—	VECTOR Strata（3D NAND向け／2014年）（派生機種）	—	—	—	—	—	—
初期リリース	—	—	—	—	—	—	—	2000年	—	—	—	—	—	—
成膜温度	—	—	—	—	—	—	—	—	80〜400℃	—	—	—	—	—
最大基板サイズ	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	200mm 角（CME-200E）・300 × 400mm（CME-400E）・500mm 角（CME-500E）	—
基板サイズ	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	—	最大 Φ200 mm