エピタキシャルウェハメーカー5社

エピタキシャルウェハは、単結晶基板の上に結晶方位を引き継いだ薄い単結晶層を成長させたウェハです。基板が持つCOPや酸素析出物といった欠陥の影響を受けない清浄な層をデバイス形成面にできるため、歩留まりと信頼性が向上します。エピ層と基板で不純物濃度を作り分けられる点も重要で、パワーデバイスでは高抵抗のエピ層で耐圧を、低抵抗の基板でオン抵抗を受け持つ設計が標準です。膜厚と抵抗率の面内均一性が、そのままデバイス特性のばらつきになります。

メーカー 5 社関連カテゴリ 7 件

主要特徴

基板上に方位を引き継いだ清浄な単結晶層を成長させたウェハ

基板の結晶欠陥の影響を受けない層をデバイス形成面にできる

エピ層と基板で不純物濃度を作り分けられる

膜厚と抵抗率の面内均一性がデバイス特性ばらつきになる

スペック比較

このページの製品は種類が異なります。まず種類で絞り込み、同じ種類の製品どうしを比較してください。

種類	メーカー	製品	主要用途
シリコンエピ	信越化学工業	300mm シリコンエピタキシャルウェハ	先端ロジック・CMOS イメージセンサ
	SUMCO	エピタキシャルウェハ（ロジック・パワー向け）	ロジック・パワーデバイス・アナログ
SiC エピ	レゾナック（旧昭和電工）	SiC エピタキシャルウェハ（HGE／AGE グレード）	車載 SiC MOSFET・SBD

シリコンエピ：2製品の比較

項目	信越化学工業300mm シリコンエピタキシャルウェハ	SUMCOエピタキシャルウェハ（ロジック・パワー向け）
口径	300 mm	300／200／150 mm
エピ層厚みの目安	1 ～ 10 µm	1 ～ 100 µm（用途による）
成長方式	常圧／減圧 CVD エピタキシー	CVD エピタキシー
管理指標	エピ層厚み均一性・抵抗率・積層欠陥	厚み・抵抗率の面内均一性、オートドープ
主要用途	先端ロジック・CMOS イメージセンサ	ロジック・パワーデバイス・アナログ

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

代表製品・スペック

製品写真

信越化学工業

300mm シリコンエピタキシャルウェハ

研磨ウェハ上に単結晶シリコン層を気相成長させたウェハ。基板と異なる抵抗率のデバイス層を作れるため、ラッチアップ耐性などが上がる。

口径	300 mm
エピ層厚みの目安	1 ～ 10 µm
成長方式	常圧／減圧 CVD エピタキシー
管理指標	エピ層厚み均一性・抵抗率・積層欠陥
主要用途	先端ロジック・CMOS イメージセンサ

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SUMCO

エピタキシャルウェハ（ロジック・パワー向け）

抵抗率の異なるエピ層を狙った厚みで積む。パワーデバイスでは厚膜・高抵抗率、ロジックでは薄膜・高均一性が求められる。

口径	300／200／150 mm
エピ層厚みの目安	1 ～ 100 µm（用途による）
成長方式	CVD エピタキシー
管理指標	厚み・抵抗率の面内均一性、オートドープ
主要用途	ロジック・パワーデバイス・アナログ

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レゾナック（旧昭和電工）

SiC エピタキシャルウェハ（HGE／AGE グレード）

SiC 基板上に SiC エピ層を成長させたウェハ。エピ層の欠陥がそのままデバイス不良になるため、グレードは欠陥密度で分かれる。

材料	4H-SiC
口径	150 mm（6 インチ）中心、200 mm 対応を推進
グレード	HGE／AGE（欠陥密度で区分）
管理指標	基底面転位・キラー欠陥密度・膜厚均一性
主要用途	車載 SiC MOSFET・SBD

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※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。