Onto Innovation/オーバーレイ計測装置

IVS 380

先端パッケージ・パワー・化合物・MEMS 向けの重ね合わせ・CD・Z 高さの光学計測装置。200/300mm に対応する。

IVS 380とは

IVS 380 は、Onto Innovation の光学式の重ね合わせ・CD・Z 高さ計測装置です。先端パッケージ、パワー、化合物半導体、MEMS 向けに、大きさや厚さの違う基板をハードウェアを変えずに扱えます。

量産向けに設計され、200mm 用の SMIF と 300mm 用の FOUP のロードポートに対応します。先端パッケージ向けに Si、ガラス、CCL などの基板を扱えます。

CMOS、MEMS、化合物半導体で 40 年の実績を持つ IVS ファミリーの技術をもとに、多様な基板と層の重ね合わせ、CD、Z 高さを測ります。RDL の金属配線、ポスト、バンプなどの XY の寸法と縦方向の高さを測れます。

主な特長

  • •重ね合わせ・CD・Z 高さを 1 台で
  • •基板の大きさ・厚さの変更にハードウェア変更不要
  • •Si・ガラス・CCL 対応

主な仕様

方式光学式の重ね合わせ・CD・Z 高さ計測
対応基板200mm(SMIF)・300mm(FOUP)、Si・ガラス・CCL
主要用途RDL 配線・ポスト・バンプの計測

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目KLAArcher™ 750KLAATL100™KLAArcher™ PowerASMLYieldStar 1390ASMLYieldStar 1385ASMLYieldStar 500Onto InnovationIVS 380Onto InnovationIVS 280ニコン(Nikon)Litho Booster
方式—スキャトロメトリ重ね合わせ計測(波長可変レーザー・分解能 1nm)イメージング重ね合わせ・CD 計測光学計測(エッチング後)光学計測(エッチング後)回折ベースの光学計測(エッチング前)光学式の重ね合わせ・CD・Z 高さ計測——
特徴波長可変光源リアルタイム Homing・ダイ内/小ピッチターゲット対応—高強度光源・機械学習アルゴリズム複数層の同時計測・高いサンプリング密度TWINSCAN ステージ技術・新センサー———
対応基板——Si・SiC・GaN・GaAs・ガラス・サファイアなど———200mm(SMIF)・300mm(FOUP)、Si・ガラス・CCLSi・SiC・石英・ガラス・GaAs・GaN・LiNbO₃—
対応ウェハ径——150/200/300 mm・ブリッジ構成————100〜200 mm—
測定項目———デバイス上の重ね合わせ・傾き・CD—重ね合わせ・フォーカス———
1機種だけが掲載している項目(10件)
測定方式イメージングベース・オーバーレイ計測————————
対象世代7nm 以下ロジック・先端メモリ————————
関連機種Archer 800(後継)・ATL100(散乱計測方式)————————
対象ノード—7nm 以下———————
測定対象————デバイス上の特徴・専用の小型ターゲット————
主要用途——————RDL 配線・ポスト・バンプの計測——
信頼性———————MTBF 2,000 時間超—
計測————————露光前の全ウェハ・全ショットのグリッド歪み
補正————————露光装置へのフィードフォワード
組み合わせ————————液浸スキャナー・ドライスキャナー

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •先端パッケージの RDL・バンプ計測
  • •パワー・MEMS の重ね合わせ

掲載カテゴリ

IVS 380は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

Onto Innovation

Rudolph Technologies と Nanometrics の統合で誕生した検査・計測メーカー。光学検査、膜厚計測、先端パッケージング計測に強み。

Onto Innovation の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07
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