Reveal™ Defect Analysis
化合物半導体を含む多様な基板に対応するインラインの欠陥解析・プロセス評価装置。SEM と FIB の組み合わせを選べる。
Reveal Defect Analysisとは
Reveal は、Applied Materials のインラインの欠陥解析・プロセス評価装置です。デバイスが複雑になるほど、高性能な故障解析と工程管理が重要になります。特に化合物半導体では、ウェーハの径・厚さ・不透明度・導電性がまちまちで、工程管理が難しくなります。
標準の半導体基板と、導電性・非導電性の化合物半導体基板を、幅広い径と厚さで扱えます。厚い積層の中の高アスペクト比の 3D 構造を、頻繁に加工・評価できます。
SEM とガリウム FIB を組み合わせた Reveal Ga、SEM とキセノンプラズマ FIB の Reveal Xe、チルトと回転ができる SEM 単体の Reveal TR の 3 つの構成があります。
主な特長
- •インラインの欠陥解析
- •Ga FIB/Xe プラズマ FIB/SEM 単体の構成
- •化合物半導体基板に対応
主な仕様
| 構成 | Reveal Ga(SEM+Ga FIB)/Reveal Xe(SEM+Xe プラズマ FIB)/Reveal TR(SEM・チルト回転) |
|---|---|
| 対応基板 | Si・化合物(導電性/非導電性)、多様な径・厚さ |
| 主要用途 | インラインの故障解析・3D 構造の評価 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | 浜松ホトニクスPHEMOS-X エミッション顕微鏡 C15765-01 | 日立ハイテクナノ・プローバ® NP8000 | サーモフィッシャーサイエンティフィックHelios 5 EXL DualBeam | Applied MaterialsReveal™ Defect Analysis |
|---|---|---|---|---|
| 主要用途 | 故障箇所の特定(位置の絞り込み) | 不良トランジスタの電気的特定 | 故障箇所の物理解析・欠陥解析 | インラインの故障解析・3D 構造の評価 |
| 解析手法 | 発光解析・発熱解析・IR-OBIRCH(非破壊) | ナノプロービング(電気特性・EBAC・EBIC・パルス IV) | FIB-SEM による断面観察・TEM 試料作製 | — |
| 対象 | ウェーハ・パッケージ品 | トランジスタ・配線(5 nm ノード以降) | 300 mm フルウェーハ | — |
1機種だけが掲載している項目(5件)
| 関連機種 | Dual PHEMOS-X C16506-01(表裏両面から解析) | — | — | — |
|---|---|---|---|---|
| 特徴 | — | ショットキー電子銃+減速法で低加速電圧の高分解能観察 | — | — |
| 対応世代 | — | — | 5 nm 未満・GAA | — |
| 構成 | — | — | — | Reveal Ga(SEM+Ga FIB)/Reveal Xe(SEM+Xe プラズマ FIB)/Reveal TR(SEM・チルト回転) |
| 対応基板 | — | — | — | Si・化合物(導電性/非導電性)、多様な径・厚さ |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •故障解析
- •化合物半導体の工程評価
掲載カテゴリ
Reveal Defect Analysisは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Applied Materials
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
故障解析装置のほかの製品
Applied Materialsのほかの製品
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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-07