GALOIS211

GaN ウェーハの各種欠陥を高速に検出し、高い解像度で観察する GaN ウェーハ欠陥検査・レビュー装置。

GALOIS211とは

GALOIS211 は、レーザーテックの GaN ウェーハ欠陥検査・レビュー装置です。GALOIS シリーズは 2017年12月に発表されました。GaN ウェーハの各種欠陥を速く検出し、高い解像度で観察できます。

透明な基板の検査に向くコンフォーカル光学系で、裏面の反射などの影響を受けずに安定して検査します。微分干渉の光学系で浅い傷や各種の結晶欠陥を高い感度で検出します。光源と光学フィルタで波長を選べるため、GaN on SiC などのヘテロエピ構造でも膜干渉の影響を受けず、最適な条件で検査できます。

最新の画像処理で GaN の表面モルフォロジーの影響を受けずに検査でき、6 インチを 6 分で検査します。バルク GaN、ホモエピ・ヘテロエピの GaN ウェーハの欠陥検査や、エピ成長・研磨のプロセス管理に使われます。

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	KLACandela® 8520	KLACandela® 8720	KLACandela® 8420	レーザーテックSICA88	レーザーテックSICA108	レーザーテックGALOIS211	Onto InnovationCelero™ PL
方式	—	2 入射角の散乱＋フォトルミネッセンス	OSA（光学表面分析）・多チャネル検出	—	表面検査＋フォトルミネッセンス（PL）同時検査	コンフォーカル光学系・微分干渉光学系・波長選択	レーザー位相検出＋イメージング（多光源・多センサー）
主要用途	パワーデバイス用基板の品質管理	RF・パワー・高輝度 LED 向け GaN	—	SiC ウェーハの出荷・受入検査、エピ工程管理	—	—	—
検査対象	SiC・GaN 基板／エピウェーハ（パターンなし）	—	—	SiC ウェーハ・エピウェーハ	—	—	—
検出欠陥	表面欠陥・エピ欠陥	—	—	エピ欠陥・スクラッチ・BPD・積層欠陥（自動分類）	—	—	—
関連機種	Candela 8720（LED・化合物半導体向け）	—	—	SICA108（検査光学系を刷新した後継機）	—	—	—
検出対象	—	クラック・転位・ヒロック・マイクロピット・スリップライン・エピ欠陥	—	—	表面欠陥・基底面内転位（BPD）・積層欠陥（SF）	—	—
対象	—	—	GaAs・InP・LT・LN・ガラス・サファイアなど	—	—	—	SiC・GaN などの化合物半導体ウェーハ
対応ウェハ径	—	—	—	—	—	最大 Φ8 インチ	100〜300 mm

1機種だけが掲載している項目（3件）