Celero™ PL

SiC・GaN ウェーハの表面下の結晶欠陥を検査・分類するレーザー位相検出・フォトルミネッセンス検査装置。

Celero PLとは

Celero PL は、Onto Innovation の SiC と GaN をベースとするウェーハや化合物半導体材料向けの表面下欠陥の検査・分類装置です。

レーザーによる位相検出とイメージングに、独自の光学系と画像処理アルゴリズムを組み合わせ、100〜300mm のウェーハで最高水準のスループットと感度を実現します。

複数の光源とセンサーチャネルで、バルクウェーハやエピ層の表面下の結晶欠陥に加え、表面のパーティクル、傷、ピット、汚染、しみ、応力、ボイド、ウェーハ端のチップやクラックを検出・測定・画像化します。

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	KLACandela® 8520	KLACandela® 8720	KLACandela® 8420	レーザーテックSICA88	レーザーテックSICA108	レーザーテックGALOIS211	Onto InnovationCelero™ PL
方式	—	2 入射角の散乱＋フォトルミネッセンス	OSA（光学表面分析）・多チャネル検出	—	表面検査＋フォトルミネッセンス（PL）同時検査	コンフォーカル光学系・微分干渉光学系・波長選択	レーザー位相検出＋イメージング（多光源・多センサー）
主要用途	パワーデバイス用基板の品質管理	RF・パワー・高輝度 LED 向け GaN	—	SiC ウェーハの出荷・受入検査、エピ工程管理	—	—	—
検査対象	SiC・GaN 基板／エピウェーハ（パターンなし）	—	—	SiC ウェーハ・エピウェーハ	—	—	—
検出欠陥	表面欠陥・エピ欠陥	—	—	エピ欠陥・スクラッチ・BPD・積層欠陥（自動分類）	—	—	—
関連機種	Candela 8720（LED・化合物半導体向け）	—	—	SICA108（検査光学系を刷新した後継機）	—	—	—
検出対象	—	クラック・転位・ヒロック・マイクロピット・スリップライン・エピ欠陥	—	—	表面欠陥・基底面内転位（BPD）・積層欠陥（SF）	—	—
対象	—	—	GaAs・InP・LT・LN・ガラス・サファイアなど	—	—	—	SiC・GaN などの化合物半導体ウェーハ
対応ウェハ径	—	—	—	—	—	最大 Φ8 インチ	100〜300 mm

1機種だけが掲載している項目（3件）